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参数资料
| 型号： | NCP623MN-25R2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 8/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC REG LDO 2.5V .15A 6-DFN |
| 标准包装： | 3,000 |
| 稳压器拓扑结构： | 正，固定式 |
| 输出电压： | 2.5V |
| 输入电压： | 最高 12V |
| 电压 - 压降（标准）： | 0.18V @ 150mA |
| 稳压器数量： | 1 |
| 电流 - 输出： | 150mA |
| 电流 - 限制（最小）： | 175mA |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-DFN（3x3） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NCP623
NCP623 Without
Wake ? up Improvement
(Typical Response)
1 ms
NCP623 With
Wake ? up Improvement
(Typical Response)
30 m s
Figure 6. NCP623 Wake ? up Improvement with Small PNP Transistor
The PNP connected to the bypass pin does not degrade the
noise response of the NCP623. Figure 7 displays the noise
350
density using the setup in Figure 5. The typical noise level
is 26 m V RM (100 Hz to 25 kHz) at I OUT = 60 mA.
300
250
200
150
100
C byp = 10 nF
V in = 3.8 V
V out = 2.8 V
C o = 1.0 m F
I out = 60 mA
T amb = 25 ° C
50
0
Output Noise = 26 m Vrms
C = 10 nF @ 100 Hz ? 100 kHz
100 1,000 10,000
100,000
1,000,000
Frequency (Hz)
Figure 7. Noise Density of the NCP623 with a 10 nF
Bypass Capacitor and a Wake ? up Improvement Network
http://onsemi.com
8
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NCP623MN-33R2G | 功能描述:低压差稳压器 - LDO 150 mA LOW DROPOUT V REG RoHS:否 制造商:Texas Instruments 最大输入电压:36 V 输出电压:1.4 V to 20.5 V 回动电压（最大值）:307 mV 输出电流:1 A 负载调节:0.3 % 输出端数量: 输出类型:Fixed 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VQFN-20 |
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