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参数资料
| 型号： | NCP623MN-50R2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC REG LDO 5V .15A 6-DFN |
| 标准包装： | 3,000 |
| 稳压器拓扑结构： | 正，固定式 |
| 输出电压： | 5V |
| 输入电压： | 最高 12V |
| 电压 - 压降（标准）： | 0.18V @ 150mA |
| 稳压器数量： | 1 |
| 电流 - 输出： | 150mA |
| 电流 - 限制（最小）： | 175mA |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-DFN（3x3） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NCP623
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (For typical values T A = 25 ° C, for min/max values T A = ? 40 ° C to +85 ° C, Max T J = 150 ° C)
Characteristics
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
DYNAMIC PARAMETERS
Ripple Rejection (All versions)
V in = V out + 1.0 V, V pp = 1.0 V, f = 1.0 kHz, I out = 60 mA
Line Transient Response
V in = V out + 1.0 V to V out + 4.0 V, I out = 60 mA, d(V in )/dt = 15 mV/ m s
60
?
70
1.0
?
?
dB
mV
Output Noise Voltage (All versions)
C out = 1.0 m F, I out = 60 mA, f = 100 Hz to 100 kHz
C bypass = 10 nF
C bypass = 1.0 nF
V RMS
?
?
?
25
40
65
?
?
?
m Vrms
C bypass = 0 nF
Output Noise Density
C out = 1.0 m F, I out = 60 mA, f = 1.0 kHz
V N
?
230
?
nV/
√ Hz
Output Rise Time (All versions)
C out = 1.0 m F, I out = 30 mA, V ON/OFF = 0 to 2.4 V
1% of ON/OFF Signal to 99% of Nominal Output Voltage
t r
Without Bypass Capacitor
?
?
40
1.1
?
?
m s
ms
With C bypass = 10 nF
THERMAL SHUTDOWN
Thermal Shutdown (All versions)
?
150
?
° C
1. I MAX (Output Current Limit) is the current measured when the output voltage drops below 0.3 V with respect to V out at I out = 30 mA.
http://onsemi.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| NCP629FC18T2G | 功能描述:低压差稳压器 - LDO HI PERFORMANCE CMOS RoHS:否 制造商:Texas Instruments 最大输入电压:36 V 输出电压:1.4 V to 20.5 V 回动电压（最大值）:307 mV 输出电流:1 A 负载调节:0.3 % 输出端数量: 输出类型:Fixed 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VQFN-20 |
| NCP629FC28T2G | 功能描述:低压差稳压器 - LDO HI PERFORMANCE CMOS RoHS:否 制造商:Texas Instruments 最大输入电压:36 V 输出电压:1.4 V to 20.5 V 回动电压（最大值）:307 mV 输出电流:1 A 负载调节:0.3 % 输出端数量: 输出类型:Fixed 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VQFN-20 |
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