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参数资料
| 型号： | NCP694DSAN25T1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC REG LDO 2.5V 1A 6HSON |
| 标准包装： | 1 |
| 稳压器拓扑结构： | 正，固定式 |
| 输出电压： | 2.5V |
| 输入电压： | 最高 6V |
| 电压 - 压降（标准）： | 0.32V @ 1A |
| 稳压器数量： | 1 |
| 电流 - 输出： | 1A |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-SMD，扁平引线裸焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-HSON |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NCP694DSAN25T1GOSDKR |
NCP694
MAXIMUM RATINGS
Rating
Input Voltage
Enable Voltage
Output Voltage
Power Dissipation SOT ? 89 ? 5
Power Dissipation HSON ? 6
Operating Junction Temperature
Operating Ambient Temperature
Storage Temperature
Symbol
V in
V CE
V out
P D
P D
T J
T A
T stg
Value
6.5
? 0.3 to V in
? 0.3 to V in + 0.3
900
900
+150
? 40 to +85
? 55 to +125
Unit
V
V
V
mW
mW
° C
° C
° C
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect
device reliability.
1. This device series contains ESD protection and exceeds the following tests:
Human Body Model 2000 V per JEDEC
Machine Model Method 200 V
THERMAL CHARACTERISTICS
Rating
Junction ? to ? Ambient SOT ? 89 ? 5
Power Dissipation SOT ? 89 ? 5
Symbol
R q JA
P D
Test Conditions
1 oz Copper Thickness, 100 mm 2
Typical Value
111
900
Unit
° C/W
mW
Junction ? to ? Ambient HSON ? 6
Power Dissipation HSON ? 6
R q JA
P D
1 oz Copper Thickness, 100
mm 2
111
900
° C/W
mW
NOTE:
Single component mounted on an 80 x 80 x 1.5 mm FR4 PCB with stated copper head spreading area. Using the following
boundary conditions as stated in EIA/JESD 51 ? 1, 2, 3, 7, 12.
http://onsemi.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ISL9014IRFDZ | IC REG LDO 2.5V/2V .3A 10-DFN |
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| ISL9011IRMGZ-T | IC REG LDO 3V/2.7V 10-DFN |
| VI-J4P-CY-B1 | CONVERTER MOD DC/DC 13.8V 50W |
| VE-251-CW-S | CONVERTER MOD DC/DC 12V 100W |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NCP694DSAN33T1G | 功能描述:低压差稳压器 - LDO 1A CMOS B/S LDO RoHS:否 制造商:Texas Instruments 最大输入电压:36 V 输出电压:1.4 V to 20.5 V 回动电压（最大值）:307 mV 输出电流:1 A 负载调节:0.3 % 输出端数量: 输出类型:Fixed 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VQFN-20 |
| NCP694DSANADJT1G | 功能描述:低压差稳压器 - LDO 1A CMOS B/S LDO RoHS:否 制造商:Texas Instruments 最大输入电压:36 V 输出电压:1.4 V to 20.5 V 回动电压（最大值）:307 mV 输出电流:1 A 负载调节:0.3 % 输出端数量: 输出类型:Fixed 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VQFN-20 |
| NCP694H08HT1G | 功能描述:低压差稳压器 - LDO 1A CMOS B/S LDO RoHS:否 制造商:Texas Instruments 最大输入电压:36 V 输出电压:1.4 V to 20.5 V 回动电压（最大值）:307 mV 输出电流:1 A 负载调节:0.3 % 输出端数量: 输出类型:Fixed 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VQFN-20 |
| NCP694H10HT1G | 功能描述:低压差稳压器 - LDO 1A CMOS B/S LDO RoHS:否 制造商:Texas Instruments 最大输入电压:36 V 输出电压:1.4 V to 20.5 V 回动电压（最大值）:307 mV 输出电流:1 A 负载调节:0.3 % 输出端数量: 输出类型:Fixed 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VQFN-20 |
| NCP694H12HT1G | 功能描述:低压差稳压器 - LDO 1A CMOS B/S LDO RoHS:否 制造商:Texas Instruments 最大输入电压:36 V 输出电压:1.4 V to 20.5 V 回动电压（最大值）:307 mV 输出电流:1 A 负载调节:0.3 % 输出端数量: 输出类型:Fixed 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VQFN-20 |
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