参数资料
型号: NCV2904DMR2G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 13/14页
文件大小: 0K
描述: IC OPAMP DUAL SGL SUPP LP 8MICRO
标准包装: 1
放大器类型: 通用
电路数: 2
转换速率: 0.6 V/µs
增益带宽积: 1MHz
电流 - 输入偏压: 45nA
电压 - 输入偏移: 2000µV
电流 - 电源: 1.5mA
电流 - 输出 / 通道: 40mA
电压 - 电源,单路/双路(±): 3 V ~ 32 V,±1.5 V ~ 16 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
供应商设备封装: Micro8?
包装: 剪切带 (CT)
其它名称: NCV2904DMR2GOSCT
LM258, LM358, LM358A, LM2904, LM2904A, LM2904V, NCV2904, NCV2904V
http://onsemi.com
8
R1
2
1
R1
TBP
R1 + R2
R1
R1 + R2
1
eo
e1
e2
eo = C (1 + a + b) (e2 - e1)
R1
a R1
b R1
R
C
R
-
+
1/2
LM358
+
-
+
R
1/2
LM358
+
-
R1
R2
VO
Vref
Vin
VOH
VO
VOL
VinL =
R1
(VOL - Vref)+ Vref
VinH =
(VOH - Vref) + Vref
H =
R1 + R2
(VOH - VOL)
R1
-
+
-
+
-
+
R
C
R2
R3
C1
100 k
R
C
R
C1
R2
100 k
Vin
Vref
Bandpass
Output
fo =
2
p
RC
R1 = QR
R2 =
R3 = TN R2
C1 = 10 C
1
Notch Output
Vref =VCC
Hysteresis
1/2
LM358
1/2
LM358
1
C
R
VinL
VinH
Vref
1/2
LM358
1/2
LM358
1/2
LM358
1/2
LM358
TBP = Center Frequency Gain
TN = Passband Notch Gain
R
C
R1
R2
R3
For:
-
+
fo
Q
TBP
TN
= 1.0 kHz
= 10
= 1
= 160 k
W
= 0.001
mF
= 1.6 M
W
= 1.6 M
W
= 1.6 M
W
Where:
MC1403
1/2
LM358
-
+
R1
VCC
VO
2.5 V
R2
50 k
10 k
Vref
Vref =
VCC
2
5.0 k
R
C
R
C
+
1/2
LM358
-
VO
2
p RC
1
For: fo = 1.0 kHz
R = 16 k
W
C = 0.01
mF
VO = 2.5 V (1 +
R1
R2
)
1
VCC
fo =
Figure 10. Voltage Reference
Figure 11. Wien Bridge Oscillator
Figure 12. High Impedance Differential Amplifier
Figure 13. Comparator with Hysteresis
Figure 14. BiQuad Filter
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PDF描述
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参数描述
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NCV2904DR2G 功能描述:运算放大器 - 运放 3-26V Quad Lo PWR Extended Temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比(最小值):63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流(最大值):10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel
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NCV2904VDR2G 功能描述:运算放大器 - 运放 150C LO PWR DUAL OP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比(最小值):63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流(最大值):10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel