参数资料
| 型号： | NCV4269DWR2 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 9/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC REG LDO 5V 20-SOIC |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 27/Jun/2007 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 稳压器拓扑结构： | 正，固定式 |
| 输出电压： | 5V |
| 输入电压： | 最高 45 V |
| 电压 - 压降（标准）： | 0.25V @ 100mA |
| 稳压器数量： | 1 |
| 电流 - 限制（最小）： | 150mA |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 20-SOIC |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NCV4269
TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS
350
12
300
10
V I = 13.5 V
T J = 25 ° C
250
200
150
100
50
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
8
6
4
2
0
0
0
10
20
30
40
50
0
20
40
60
80
100
120
1.6
V I , (V)
Figure 13. Output Current Limit I Q vs. Input
Voltage V I
7
I Q , (mA)
Figure 14. Current Consumption I q vs.
Output Current I Q
1.4
1.2
1.0
V I = 13.5 V
T J = 25 ° C
6
5
4
I Q = 100 mA
T J = 125 ° C
0.8
0.6
3
0.4
0.2
2
1
I Q = 50 mA
I Q = 10 mA
0
6
0.0
10
20
30
40
50
0
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
I Q , (mA)
Figure 15. Current Consumption I q vs.
Output Current I Q
V I , (V)
Figure 16. Quiescent Current I q vs.
Input Voltage V I
250
T J = 25 ° C
100
Unstable Region
for all caps
200
10
Stable Region for
0.1 m F to 10 m F
150
I Q = 100 m A
1
100
Unstable Region
for 0.1 m F ONLY
Stable Region for
1 m F to 10 m F
6
50
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
0.1
0
25
50
75
100
125
150
V I , (V)
Figure 17. Quiescent Current I q vs. Input Voltage V I
http://onsemi.com
9
OUTPUT CURRENT IN MILLIAMPS
Figure 18. Output Stability, Capacitance ESR
vs. Output Load Current
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PDF描述 |
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| NCV4269PDG | 功能描述:低压差稳压器 - LDO 150mA LDO RG IN EPAD RoHS:否 制造商:Texas Instruments 最大输入电压:36 V 输出电压:1.4 V to 20.5 V 回动电压（最大值）:307 mV 输出电流:1 A 负载调节:0.3 % 输出端数量: 输出类型:Fixed 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VQFN-20 |
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