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参数资料
| 型号： | NCV4269PDR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 8/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC REG LDO 5V SO-8EP |
| 产品变化通告： | NCV42xx Obsolescence 27/Apr/2011 |
| 标准包装： | 1 |
| 稳压器拓扑结构： | 正，固定式 |
| 输出电压： | 5V |
| 输入电压： | 最高 45 V |
| 电压 - 压降（标准）： | 0.25V @ 100mA |
| 稳压器数量： | 1 |
| 电流 - 限制（最小）： | 150mA |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC-EP |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NCV4269PDR2GOSCT |
NCV4269
TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS
500
1.7
1.6
400
300
200
100
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
T J = ? 40 ° C
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
? 40
0
0
30
60
90
120
150
180
0.9
0
40
80
120
160
35
30
25
20
I Q , (mA)
Figure 7. Drop Voltage V dr vs. Output Current I Q
12
10
8
T J , ( ° C)
Figure 8. Reset Adjust Switching Threshold,
V RADJ,TH vs. Temperature T J
15
10
R L = 33 W
R L = 100 W
R L = 200 W
6
4
R L = 50 W
5
R L = 50 W
2
0
0
0
10
20
30
40
50
0
2
4
6
8
10
1.6
V I , (V)
Figure 9. Current Consumption I q vs. Input
Voltage V I
5.2
V I , (V)
Figure 10. Output Voltage V Q vs. Input Voltage V I
1.5
V I = 13.5 V
5.1
1.4
1.3
1.2
1.1
V SI, High
V SI, Low
5.0
4.9
4.8
4.7
V I = 13.5 V
? 40
1.0
? 40
0
40
80
120
160
4.6
0
40
80
120
160
T J , ( ° C)
Figure 11. Sense Threshold V SI vs. Temperature T J
T J , ( ° C)
Figure 12. Output Voltage V Q vs. Temperature T J
http://onsemi.com
8
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| HCM10DSXS | CONN EDGECARD 20POS DIP .156 SLD |
| NCV4269DWR2G | IC REG LDO 5V 20-SOIC |
| MAX8633ETA+T | IC REG LDO ADJ .3A 8TDFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NCV4274 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:400 mA 2% and 4%Voltage Regulator Family |
| NCV4274_07 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:400 mA 2% and 4%Voltage Regulator Family |
| NCV4274A | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:400 mA 2% and 4%Voltage Regulator Family |
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| NCV4274ADS50G | 功能描述:低压差稳压器 - LDO ANA 400mA LDO REG RoHS:否 制造商:Texas Instruments 最大输入电压:36 V 输出电压:1.4 V to 20.5 V 回动电压（最大值）:307 mV 输出电流:1 A 负载调节:0.3 % 输出端数量: 输出类型:Fixed 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VQFN-20 |
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