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参数资料
| 型号： | NCV4274DS50R4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC REG LDO 5V .4A D2PAK |
| 产品变化通告： | NCV42xx Obsolescence 27/Apr/2011 |
| 标准包装： | 1 |
| 稳压器拓扑结构： | 正，固定式 |
| 输出电压： | 5V |
| 输入电压： | 5.5 V ~ 40 V |
| 电压 - 压降（标准）： | 0.25V @ 250mA |
| 稳压器数量： | 1 |
| 电流 - 输出： | 400mA |
| 电流 - 限制（最小）： | 400mA |
| 工作温度： | -40°C ~ 150°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-4，D²Pak（3 引线+接片），TO-263AA |
| 供应商设备封装： | D2PAK-3 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NCV4274DS50R4GOSCT |
NCV4274, NCV4274A
I
Q
Bandgap
Refernece
?
+
Current Limit and
Saturation Sense
Thermal
Shutdown
GND
Figure 1. Block Diagram
Pin Definitions and Functions
Pin No.
1
2,4
3
Symbol
I
GND
Q
Function
Input; Bypass directly at the IC a ceramic capacitor to GND.
Ground
Output; Bypass with a capacitor to GND.
1. DPAK 3LD package code 6025
2. D2PAK 3LD package code 6083
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Pin Symbol, Parameter
Symbol
Condition
Min
Max
Unit
I , Input ? to ? Regulator
Voltage
Current
V I
I I
? 42
Internally
Limited
45
Internally
Limited
V
I , Input peak Transient Voltage to Regulator with Respect
to GND
V I
60
V
Q, Regulated Output
Voltage
V Q
V Q = V I
? 1.0
40
V
Current
I Q
Internally
Limited
Internally
Limited
GND, Ground Current
Junction Temperature
Storage Temperature
ESD Capability, Human Body Model
ESD Capability, Machine Model
ESD Capability, Charged Device Model
I GND
T J
T Stg
ESD HB
ESD MM
ESD CDM
?
?
? 50
4
200
1
100
150
150
mA
° C
° C
kV
V
kV
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect
device reliability.
3. This device series incorporates ESD protection and is tested by the following methods:
ESD HBM tested per AEC ? Q100 ? 002 (EIA/JESD22 ? A114)
ESD MM tested per AEC ? Q100 ? 003 (EIA/JESD22 ? A115)
ESD CDM tested per EIA/JES D22/C101, Field Induced Charge Model
http://onsemi.com
2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AISM-1210-R10M-T | INDUCTOR .10UH 20% 1210 |
| RBM06DCAH-S189 | CONN EDGECARD 12POS R/A .156 SLD |
| ABC40DRYS | CONN EDGECARD 80POS .100 DIP SLD |
| RCA14DRMD | CONN EDGECARD 28POS .125 SQ WW |
| AMC19DRYS-S93 | CONN EDGECARD 38POS DIP .100 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NCV4274DT33RKG | 功能描述:低压差稳压器 - LDO ANA 400MA LDO REG RoHS:否 制造商:Texas Instruments 最大输入电压:36 V 输出电压:1.4 V to 20.5 V 回动电压（最大值）:307 mV 输出电流:1 A 负载调节:0.3 % 输出端数量: 输出类型:Fixed 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VQFN-20 |
| NCV4274DT50G | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:400 mA 2% and 4%Voltage Regulator Family |
| NCV4274DT50RKG | 功能描述:低压差稳压器 - LDO ANA 400mA LDO REG RoHS:否 制造商:Texas Instruments 最大输入电压:36 V 输出电压:1.4 V to 20.5 V 回动电压（最大值）:307 mV 输出电流:1 A 负载调节:0.3 % 输出端数量: 输出类型:Fixed 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VQFN-20 |
| NCV4274ST25T3G | 功能描述:低压差稳压器 - LDO ANA 400mA LDO REG RoHS:否 制造商:Texas Instruments 最大输入电压:36 V 输出电压:1.4 V to 20.5 V 回动电压（最大值）:307 mV 输出电流:1 A 负载调节:0.3 % 输出端数量: 输出类型:Fixed 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VQFN-20 |
| NCV4274ST33T3G | 功能描述:低压差稳压器 - LDO ANA 400mA LDO REG RoHS:否 制造商:Texas Instruments 最大输入电压:36 V 输出电压:1.4 V to 20.5 V 回动电压（最大值）:307 mV 输出电流:1 A 负载调节:0.3 % 输出端数量: 输出类型:Fixed 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VQFN-20 |
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