参数资料
型号: NCV4276BDTADJRKG
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 13/18页
文件大小: 0K
描述: IC REG LDO ADJ .4A D2PAK
标准包装: 2,500
稳压器拓扑结构: 正,可调式
输出电压: 2.5 V ~ 20 V
输入电压: 4.5 V ~ 40 V
电压 - 压降(标准): 0.25V @ 250mA
稳压器数量: 1
电流 - 输出: 400mA
电流 - 限制(最小): 400mA
工作温度: -40°C ~ 150°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-5,DPak(4 引线 + 接片),TO-252AD
供应商设备封装: D-Pak
包装: 带卷 (TR)
其它名称: NCV4276BDTADJRKG-ND
NCV4276BDTADJRKGOSTR
NCV4276B
Table 6. DPAK 5-LEAD THERMAL RC NETWORK MODELS
Drain Copper Area (1 oz thick)
168 mm 2
736 mm 2
168 mm 2
736 mm 2
(SPICE Deck Format)
Cauer Network
Foster Network
168 mm 2
736 mm 2
Units
Tau
Tau
Units
C_C1
C_C2
C_C3
C_C4
C_C5
C_C6
C_C7
C_C8
C_C9
C_C10
Junction
node1
node2
node3
node4
node5
node6
node7
node8
node9
GND
GND
GND
GND
GND
GND
GND
GND
GND
GND
1.00E ? 06
1.00E ? 05
6.00E ? 05
1.00E ? 04
4.36E ? 04
6.77E ? 02
1.51E ? 01
4.80E ? 01
3.740
10.322
1.00E ? 06
1.00E ? 05
6.00E ? 05
1.00E ? 04
3.64E ? 04
1.92E ? 02
1.27E ? 01
1.018
2.955
0.438
W ? s/C
W ? s/C
W ? s/C
W ? s/C
W ? s/C
W ? s/C
W ? s/C
W ? s/C
W ? s/C
W ? s/C
1.36E ? 08
7.41E ? 07
1.04E ? 05
3.91E ? 05
1.80E ? 03
3.77E ? 01
3.79E+00
2.65E+01
8.71E+01
1.361E ? 08
7.411E ? 07
1.029E ? 05
3.737E ? 05
1.376E ? 03
2.851E ? 02
9.475E ? 01
1.173E+01
8.59E+01
sec
sec
sec
sec
sec
sec
sec
sec
sec
sec
168 mm 2
736 mm 2
R’s
R’s
R_R1
R_R2
R_R3
R_R4
R_R5
R_R6
R_R7
R_R8
R_R9
R_R10
Junction
node1
node2
node3
node4
node5
node6
node7
node8
node9
node1
node2
node3
node4
node5
node6
node7
node8
node9
GND
0.015
0.08
0.4
0.2
2.97519
8.2971
25.9805
46.5192
17.7808
0.1
0.015
0.08
0.4
0.2
2.6171
1.6778
7.4246
14.9320
19.2560
0.1758
C/W
C/W
C/W
C/W
C/W
C/W
C/W
C/W
C/W
C/W
0.0123
0.0585
0.0304
0.3997
3.115
3.571
12.851
35.471
46.741
0.0123
0.0585
0.0287
0.3772
2.68
1.38
5.92
7.39
28.94
C/W
C/W
C/W
C/W
C/W
C/W
C/W
C/W
C/W
C/W
NOTE:
Bold face items represent the package without the external thermal system.
Junction
C 1
R 1
C 2
R 2
C 3
R 3
C n
R n
Time constants are not simple RC products. Amplitudes
of mathematical solution are not the resistance values.
Ambient
(thermal ground)
Figure 29. Grounded Capacitor Thermal Network (“Cauer” Ladder)
Junction
R 1
C 1
R 2
C 2
R 3
C 3
R n
C n
Each rung is exactly characterized by its RC-product
time constant; amplitudes are the resistances.
Ambient
(thermal ground)
Figure 30. Non-Grounded Capacitor Thermal Ladder (“Foster” Ladder)
http://onsemi.com
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