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参数资料
| 型号： | NCV4276DS25R4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 18/25页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC REG LDO 2.5V .4A D2PAK-5 |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 08/Apr/2011 |
| 标准包装： | 1 |
| 稳压器拓扑结构： | 正，固定式 |
| 输出电压： | 2.5V |
| 输入电压： | 4.5 V ~ 40 V |
| 稳压器数量： | 1 |
| 电流 - 输出： | 400mA |
| 电流 - 限制（最小）： | 400mA |
| 工作温度： | -40°C ~ 150°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA |
| 供应商设备封装： | D2PAK-5 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NCV4276DS25R4GOSCT |
NCV4276, NCV4276A
Thermal Model
A discussion of thermal modeling is in the ON Semiconductor web site: http://www.onsemi.com/pub/collateral/BR1487 ? D.PDF.
Table 1. DPAK 5 ? Lead Thermal RC Network Models
Drain Copper Area (1 oz thick)
168 mm 2
736 mm 2
168 mm 2
736 mm 2
(SPICE Deck Format)
Cauer Network
Foster Network
168
mm 2
736
mm 2
Units
Tau
Tau
Units
C_C1
C_C2
C_C3
C_C4
C_C5
C_C6
C_C7
C_C8
C_C9
C_C10
Junction
node1
node2
node3
node4
node5
node6
node7
node8
node9
GND
GND
GND
GND
GND
GND
GND
GND
GND
GND
1.00E ? 06
1.00E ? 05
6.00E ? 05
1.00E ? 04
4.36E ? 04
6.77E ? 02
1.51E ? 01
4.80E ? 01
3.740
10.322
1.00E ? 06
1.00E ? 05
6.00E ? 05
1.00E ? 04
3.64E ? 04
1.92E ? 02
1.27E ? 01
1.018
2.955
0.438
W ? s/C
W ? s/C
W ? s/C
W ? s/C
W ? s/C
W ? s/C
W ? s/C
W ? s/C
W ? s/C
W ? s/C
1.36E ? 08
7.41E ? 07
1.04E ? 05
3.91E ? 05
1.80E ? 03
3.77E ? 01
3.79E+00
2.65E+01
8.71E+01
1.361E ? 08
7.411E ? 07
1.029E ? 05
3.737E ? 05
1.376E ? 03
2.851E ? 02
9.475E ? 01
1.173E+01
8.59E+01
sec
sec
sec
sec
sec
sec
sec
sec
sec
sec
168
mm 2
736
mm 2
R’s
R’s
R_R1
R_R2
R_R3
R_R4
R_R5
R_R6
R_R7
R_R8
R_R9
R_R10
Junction
node1
node2
node3
node4
node5
node6
node7
node8
node9
node1
node2
node3
node4
node5
node6
node7
node8
node9
GND
0.015
0.08
0.4
0.2
2.97519
8.2971
25.9805
46.5192
17.7808
0.1
0.015
0.08
0.4
0.2
2.6171
1.6778
7.4246
14.9320
19.2560
0.1758
C/W
C/W
C/W
C/W
C/W
C/W
C/W
C/W
C/W
C/W
0.0123
0.0585
0.0304
0.3997
3.115
3.571
12.851
35.471
46.741
0.0123
0.0585
0.0287
0.3772
2.68
1.38
5.92
7.39
28.94
C/W
C/W
C/W
C/W
C/W
C/W
C/W
C/W
C/W
C/W
NOTE:
Bold face items represent the package without the external thermal system.
Junction
C 1
R 1
C 2
R 2
C 3
R 3
C n
R n
Time constants are not simple RC products. Amplitudes
of mathematical solution are not the resistance values.
Ambient
(thermal ground)
Figure 51. Grounded Capacitor Thermal Network (“Cauer” Ladder)
Junction
R 1
C 1
R 2
C 2
R 3
C 3
R n
C n
Each rung is exactly characterized by its RC ? product
time constant; amplitudes are the resistances.
Ambient
(thermal ground)
Figure 52. Non ? Grounded Capacitor Thermal Ladder (“Foster” Ladder)
http://onsemi.com
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| MAX8510ETA33+T | IC REG LDO 3.3V .12A 8-TDFN |
| SRP100K-E3/54 | DIODE 1A 800V 200NS DO-41 |
| EBM12DCMH | CONN EDGECARD 24POS .156 WW |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NCV4276DS33 | 功能描述:低压差稳压器 - LDO 3.3V 400mA RoHS:否 制造商:Texas Instruments 最大输入电压:36 V 输出电压:1.4 V to 20.5 V 回动电压（最大值）:307 mV 输出电流:1 A 负载调节:0.3 % 输出端数量: 输出类型:Fixed 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VQFN-20 |
| NCV4276DS33G | 功能描述:低压差稳压器 - LDO ANA 400mA LDO REG RoHS:否 制造商:Texas Instruments 最大输入电压:36 V 输出电压:1.4 V to 20.5 V 回动电压（最大值）:307 mV 输出电流:1 A 负载调节:0.3 % 输出端数量: 输出类型:Fixed 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VQFN-20 |
| NCV4276DS33R4 | 功能描述:低压差稳压器 - LDO 3.3V 400mA RoHS:否 制造商:Texas Instruments 最大输入电压:36 V 输出电压:1.4 V to 20.5 V 回动电压（最大值）:307 mV 输出电流:1 A 负载调节:0.3 % 输出端数量: 输出类型:Fixed 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VQFN-20 |
| NCV4276DS33R4G | 功能描述:低压差稳压器 - LDO ANA 400mA LDO REG RoHS:否 制造商:Texas Instruments 最大输入电压:36 V 输出电压:1.4 V to 20.5 V 回动电压（最大值）:307 mV 输出电流:1 A 负载调节:0.3 % 输出端数量: 输出类型:Fixed 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VQFN-20 |
| NCV4276DS50 | 功能描述:低压差稳压器 - LDO 5.0V 400mA RoHS:否 制造商:Texas Instruments 最大输入电压:36 V 输出电压:1.4 V to 20.5 V 回动电压（最大值）:307 mV 输出电流:1 A 负载调节:0.3 % 输出端数量: 输出类型:Fixed 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VQFN-20 |
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