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参数资料
| 型号： | NCV494BDR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 11/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC REG CTRLR PWM VM 16-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | SWITCHMODE™ |
| PWM 型： | 电压模式 |
| 输出数： | 1 |
| 频率 - 最大： | 200kHz |
| 占空比： | 50% |
| 电源电压： | 7 V ~ 40 V |
| 降压： | 无 |
| 升压： | 无 |
| 回扫： | 无 |
| 反相： | 无 |
| 倍增器： | 无 |
| 除法器： | 无 |
| Cuk： | 无 |
| 隔离： | 无 |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NCV494BDR2GOSCT |
TL494, NCV494
1.0mH @ 2A
+V in = 10V to 40V
Tip 32A
+V O = 5.0 V
I O = 1.0 A
47
150
47k
12
8
11
0.1
V CC
C 1
C 2
Comp
3
1.0M
?
2
+
V ref
50
50V
+
5
C T
R T
6
TL494
D.T. O.C. Gnd E 1
4 13 7 9
E 2
10
1
14
? 15
16
+
5.1k
5.1k
5.1k
MR850
500
10V
+
+
50
10V
150
0.001
47k
0.1
Figure 21. Pulse Width Modulated Step?Down Converter
Test
Conditions
Results
Line Regulation
Load Regulation
Output Ripple
V in = 8.0 V to 40 V
V in = 12.6 V, I O = 0.2 mA to 200 mA
V in = 12.6 V, I O = 200 mA
3.0 mV
5.0 mV
40 mV pp
0.01%
0.02%
P.A.R.D.
Short Circuit Current
Efficiency
V in = 12.6 V, R L = 0.1 W
V in = 12.6 V, I O = 200 mA
http://onsemi.com
11
250 mA
72%
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PDF描述 |
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| HSC18DREN-S13 | CONN EDGECARD 36POS .100 EXTEND |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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