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参数资料
| 型号： | NCV8406ADTRKG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 8/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER LOW SIDE DPAK-4 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | * |
NCV8406, NCV8406A
TEST CIRCUITS AND WAVEFORMS
RL
VIN
RG
D
G DUT
VDD
+
?
S
IDS
Figure 23. Resistive Load Switching Test Circuit
90%
VIN
td(ON)
tr
td(OFF)
10%
IDS
tf
Figure 24. Resistive Load Switching Waveforms
http://onsemi.com
8
90%
10%
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| R1D-1509/H-R | CONV DC/DC 1W 15VIN +/-09VOUT |
| A9CAG-1103F | FLEX CABLE - AFG11G/AF11/AFE11T |
| R1D-1505/P-R | CONV DC/DC 1W 15VIN +/-05VOUT |
| NCV8406DTRKG | IC DVR LO SIDE 65V 7A DPAK |
| A9BAG-1402F | FLEX CABLE - AFF14G/AF14/AFE14T |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NCV8406ASTT1G | 功能描述:MOSFET 65V, SMARTFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NCV8406ASTT3G | 功能描述:MOSFET 65V SMARTFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NCV8406DTRKG | 功能描述:MOSFET 65V6A SINGLE N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NCV8406STT3G | 功能描述:功率驱动器IC 65 V,6 A SINGLE N-CH RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| NCV8408-D | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Self-Protected Low Side Driver with Temperature and Current Limit |
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