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参数资料
| 型号： | NCV8406DTRKG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DVR LO SIDE 65V 7A DPAK |
| 标准包装： | 2,500 |
| 类型： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 输出数： | 1 |
| 导通状态电阻： | 210 毫欧 |
| 电流 - 峰值输出： | 7A |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | DPAK-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NCV8406, NCV8406A
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
600
550
500
450
150 ° C
ID = 2 A
ID = 0.5 A
500
450
400
350
150 ° C, V GS = 5 V
150 ° C, V GS = 10 V
100 ° C, V GS = 5 V
400
350
300
250
200
100 ° C
25 ° C
300
250
200
150
25 ° C, V GS = 5 V
25 ° C, V GS = 10 V
100 ° C, V GS = 10 V
? 40 ° C, V GS = 5 V
150
100
3
4
5
? 40 ° C
6
7
8
9
10
100
50
0.5 0.75
1
1.25 1.5 1.75
2
? 40 ° C, V GS = 10 V
2.25 2.5 2.75
3
2.5
V GS (V)
Figure 8. R DS(on) vs. Gate ? Source Voltage
15
I D (A)
Figure 9. R DS(on) vs. Drain Current
2.0
I D = 2 A
V GS = 10 V
13
? 40 ° C
11
25 ° C
1.5
V GS = 5 V
9
100 ° C
7
1.0
5
150 ° C
0.5
? 40 ? 20
0
20
40
60
80
100
120
140
3
4
5
6
7
8
V DS = 10 V
9
10
15
T ( ° C)
Figure 10. Normalized R DS(on) vs. Temperature
1000
V GS (V)
Figure 11. Current Limit vs. Gate ? Source
Voltage
13
V GS = 10 V
V DS = 10 V
100
10
11
9
V GS = 5 V
1
0.1
150 ° C
100 ° C
0.01 25 ° C
7
5
? 40 ? 20
0
20
40
60
80
100
120 140
0.001
0.0001
? 40 ° C
10
20
30
40
50
V GS = 0 V
60
70
T J ( ° C)
Figure 12. Current Limit vs. Junction
Temperature
http://onsemi.com
5
V DS (V)
Figure 13. Drain ? to ? Source Leakage Current
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PDF描述 |
|---|---|
| A9BAG-1402F | FLEX CABLE - AFF14G/AF14/AFE14T |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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