参数资料
型号: NCV8518BPDR2G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 8/13页
文件大小: 0K
描述: IC REG LDO 5V .25A 8-SOIC
标准包装: 2,500
稳压器拓扑结构: 正,固定式
输出电压: 5V
输入电压: 6 V ~ 28 V
电压 - 压降(标准): 0.425V @ 150mA
稳压器数量: 1
电流 - 输出: 250mA
电流 - 限制(最小): 255mA
工作温度: -40°C ~ 150°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm Width)裸露焊盘
供应商设备封装: 8-SOIC-EP
包装: 带卷 (TR)
NCV8518B
TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS
5.1
5.01
5.0
5 mA Load
5.00
25 ° C
4.9
? 50
0
50 100
150
4.99
5
10
15 20
25
30
3.3
T J , TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. Output Voltage vs. Temperature
6.4
INPUT VOLTAGE (V)
Figure 6. Output Voltage vs. Input Voltage
3.2
6.2
3.1
3.0
60 k W Rdelay
6.0
120 k W Rdelay
2.9
5.8
2.8
2.7
? 50
0
50 100
150
5.6
? 50
0
50 100
150
T J , TEMPERATURE ( ° C)
Figure 7. POR Delay vs. Temperature, 60 k W Rdelay
10000
UNSTABLE
T J , TEMPERATURE ( ° C)
Figure 8. POR Delay vs. Temperature, 120 k W Rdelay
27
1000
REGION
0.1 ? 10 m F
26
100
10
100 m F
STABLE REGION,
ALL CAP VALUES
25
60 k W Rdelay
1
0.1 m F UNSTABLE
24
0.1
0
25 50 75
100
23
? 50
0
50 100
150
OUTPUT CURRENT (mA)
Figure 9. Stability Region of Capacitive ESR vs.
Output Current
http://onsemi.com
8
T J , TEMPERATURE ( ° C)
Figure 10. Wakeup Period vs. Temperature
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PDF描述
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