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参数资料
| 型号： | NCV8664D50G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC REG LDO 5V .15A 8-SOIC |
| 标准包装： | 98 |
| 稳压器拓扑结构： | 正，固定式 |
| 输出电压： | 5V |
| 输入电压： | 最高 45 V |
| 电压 - 压降（标准）： | 0.315V @ 150mA |
| 稳压器数量： | 1 |
| 电流 - 输出： | 150mA |
| 电流 - 限制（最小）： | 150mA |
| 工作温度： | -40°C ~ 150°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 管件 |
NCV8664
IN
Bias Current
Generators
OUT
1.3 V
Reference
+
Error
Amp
-
Thermal
Shutdown
GND
Figure 1. Block Diagram
PIN FUNCTION DESCRIPTION
Pin No.
DPAK/SOT ? 223
1
2
3
TAB
?
SOIC ? 8
2
3
4
?
1, 5 ? 8
Symbol
V IN
GND
V OUT
GND
NC
Function
Unregulated input voltage; 4.5 V to 45 V.
Ground; substrate.
Regulated output voltage; collector of the internal PNP pass transistor.
Ground; substrate and best thermal connection to the die.
No Connection.
OPERATING RANGE
Pin Symbol, Parameter
V IN , DC Input Operating Voltage
Junction Temperature Operating Range
Symbol
V IN
T J
Min
4.5
? 40
Max
+45
+150
Unit
V
° C
MAXIMUM RATINGS
Rating
V IN , DC Voltage
V OUT , DC Voltage
Storage Temperature
ESD Capability, Human Body Model (Note 1)
ESD Capability, Machine Model (Note 1)
Symbol
V IN
V OUT
T stg
V ESDHB
V ESDMIM
Min
? 42
? 0.3
? 55
4000
200
Max
+45
+18
+150
?
?
Unit
V
V
° C
V
V
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect
device reliability.
1. This device series incorporates ESD protection and is tested by the following methods:
ESD HBM tested per AEC ? Q100 ? 002 (EIA/JESD22 ? A 114C)
ESD MM tested per AEC ? Q100 ? 003 (EIA/JESD22 ? A 115C)
THERMAL RESISTANCE
Parameter
Symbol
Condition
Min
Max
Unit
Junction ? to ? Ambient
Junction ? to ? Case
DPAK
SOT ? 223
SOIC ? 8 Fused
DPAK
SOT ? 223
SOIC ? 8 Fused
R q JA
R q JC
?
?
?
?
?
?
101 (Note 2)
99 (Note 2)
145
9.0
17
?
° C/W
° C/W
2. 1 oz., 100 mm 2 copper area.
http://onsemi.com
2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T86D225K050EBAS | CAP TANT 2.2UF 50V 10% 2917 |
| T86D156M035EBAS | CAP TANT 15UF 35V 20% 2917 |
| R1D-1205-R | CONV DC/DC 1W DUAL +/-5VOUT SMD |
| DS2433+ | IC EEPROM 4KBIT TO92-3 |
| T86D106M035EBAS | CAP TANT 10UF 35V 20% 2917 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NCV8664D50R2G | 功能描述:低压差稳压器 - LDO NCV8664 SOIC8 FUSED RoHS:否 制造商:Texas Instruments 最大输入电压:36 V 输出电压:1.4 V to 20.5 V 回动电压（最大值）:307 mV 输出电流:1 A 负载调节:0.3 % 输出端数量: 输出类型:Fixed 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VQFN-20 |
| NCV8664DT33RKG | 功能描述:低压差稳压器 - LDO ULTRA LOW IQ LDO RoHS:否 制造商:Texas Instruments 最大输入电压:36 V 输出电压:1.4 V to 20.5 V 回动电压（最大值）:307 mV 输出电流:1 A 负载调节:0.3 % 输出端数量: 输出类型:Fixed 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VQFN-20 |
| NCV8664DT50RKG | 功能描述:低压差稳压器 - LDO ULTRA LOW IQ LDO RoHS:否 制造商:Texas Instruments 最大输入电压:36 V 输出电压:1.4 V to 20.5 V 回动电压（最大值）:307 mV 输出电流:1 A 负载调节:0.3 % 输出端数量: 输出类型:Fixed 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VQFN-20 |
| NCV8664DT50RKG/H | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| NCV8664ST33T3G | 功能描述:低压差稳压器 - LDO 3.3V OPTION RoHS:否 制造商:Texas Instruments 最大输入电压:36 V 输出电压:1.4 V to 20.5 V 回动电压（最大值）:307 mV 输出电流:1 A 负载调节:0.3 % 输出端数量: 输出类型:Fixed 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VQFN-20 |
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