- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18320 > NDC7002N (Fairchild Semiconductor)MOSFET 2N-CH 50V 510MA SSOT6 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | NDC7002N |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 50V 510MA SSOT6 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SuperSOT-6 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 510mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2 欧姆 @ 510mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 20pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1602 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NDC7002NDKR |
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25°C unless otherwise noted)
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Units
OFF CHARACTERISTICS
BV DSS
I DSS
Drain-Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current
V GS = 0 V, I D = 250 μA
V DS = 40 V, V GS = 0 V
50
1
V
μA
T J = 125°C
500
I GSSF
I GSSR
Gate - Body Leakage, Forward
Gate - Body Leakage, Reverse
V GS = 20 V, V DS = 0 V
V GS = -20 V, V DS = 0 V
100
-100
nA
nA
ON CHARACTERISTICS (Note 2)
V GS(th)
Gate Threshold Voltage
V DS = V GS , I D = 250 μA
1
1.9
2.5
V
T J = 125°C
0.8
1.5
2.2
R DS(ON)
Static Drain-Source On-Resistance
V GS = 10 V, I D = 0.51 A
1
2
?
V GS = 4.5 V, I D = 0.35 A
T J = 125°C
1.7
1.6
3.5
4
I D(on)
g FS
On-State Drain Current
Forward Transconductance
V GS = 10 V, V DS = 10 V
V DS = 10 V, I D = 0.51 A
1.5
400
A
mS
DYNAMIC CHARACTERISTICS
C iss
C oss
C rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
V DS = 25 V, V GS = 0 V,
f = 1.0 MHz
20
13
5
pF
pF
pF
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 2)
t D(on)
t r
t D(off)
t f
Q g
Q gs
Q gd
Turn - On Delay Time
Turn - On Rise Time
Turn - Off Delay Time
Turn - Off Fall Time
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V DD = 25 V, I D = 0.25 A,
V GS = 10 V, R GEN = 25 ?
V DS = 25 V,
I D = 0.51 A, V GS = 10 V
6
6
11
5
1
0.19
0.33
20
20
20
20
nS
nC
nC
nC
NDC7002N.SAM
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 445A32H16M00000 | CRYSTAL 16.000000 MHZ 32PF SMD |
| 445A32H13M00000 | CRYSTAL 13.000000 MHZ 32PF SMD |
| 7103J1ZQE2 | SWITCH ROCKER SPDT 5A 120V |
| B32913A3154K289 | CAP FILM 0.15UF 760VDC RADIAL |
| 445A32G16M00000 | CRYSTAL 16.000000 MHZ 30PF SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NDC7002N | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| NDC7002N | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET DUAL NN SUPERSOT-6 |
| NDC7002N_Q | 功能描述:MOSFET SO-6 N-CH ENHANCE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDC7002N_SB9G007 | 功能描述:MOSFET 50V DUAL N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDC7002N-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:NDC7002N Series Dual N-Channel 50 V 2 Ohm Field Effect Transistor -SS0T-6 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。