型号: | NDS9933A/S62Z |
厂商: | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 2700 mA, 20 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
文件页数: | 1/2页 |
文件大小: | 59K |
代理商: | NDS9933A/S62Z |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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NDS9948/S62Z | 2300 mA, 60 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
NDT014/D84Z | 2.7 A, 60 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261 |
NDT2955/J23Z | 2.5 A, 60 V, 0.3 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
NE080490 | UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
NE28HC64H-70 | 8K X 8 EEPROM 5V, 70 ns, PQCC32 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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NDS9936 | 功能描述:MOSFET Dl N-Ch Enhancement RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
NDS9943 | 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
NDS9945 | 功能描述:MOSFET Dl N-Ch Enhancement RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
NDS9945 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR MOSFET 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR, MOSFET |
NDS9945 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |