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参数资料
| 型号： | NE34018-EVGA19 |
| 厂商： | CEL |
| 文件页数： | 8/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | EVAL BOARD NE34018 1.9GHZ |
| 标准包装： | 1 |
| 类型： | FET |
| 频率： | 1.9GHz |
| 适用于相关产品： | NE34018@1.9GHz |
| 已供物品： | 板 |
NE34018
NE34018 NONLINEAR MODEL
SCHEMATIC
CGD_PKG
0.02pF
LD
LD_PKG
LG_PKG
LG
Q1
0.4nH
0.18nH
DRAIN
GATE
0.18nH
0.93nH
CDS_PKG
CGS_PKG
0.1pF
FET NONLINEAR MODEL PARAMETERS (1)
LS
0.25nH
LS_PKG
0.09nH
SOURCE
UNITS
0.1pF
Parameters
VTO
VTOSC
ALPHA
BETA
GAMMA
GAMMADC
Q
Q1
-0.6885
0
5
0.1838
0.038
0.03
1.8
Parameters
RG
RD
RS
RGMET
KF
AF
TNOM
Q1
4
1.5
2
0
0
1
27
Parameter
time
capacitance
inductance
resistance
voltage
current
Units
seconds
farads
henries
ohms
volts
amps
DELTA
VBI
IS
N
RIS
0.25
0.7
3e-13
1
0
XTI
EG
VTOTC
BETATCE
FFE
3
1.43
0
0
1
MODEL RANGE
Frequency: 0.5 to 6 GHz
Bias: V DS = 1 V to 3 V, I D = 5 mA to 40 mA
Date: 6/97
RID
TAU
CDS
RDB
CBS
CGSO
CGDO
DELTA1
DELTA2
FC
VBR
0
4e-12
0.1e-12
5000
1e-11
0.95e-12
0.04e-12
0.3
0.05
0.5
Infinity
(1) Series IV Libra TOM Model
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE5520279A-EVPW09 | EVAL BOARD NE5520279A 900MHZ |
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| NE651R479A-EVPW35 | EVAL BOARD NE651R479A 3.5GHZ |
| NHD-COG14-36 | ADAPTER SMT TO 2.54MM THRU-HOLE |
| NHD-TS-12864ARNB# | TOUCH PANEL 82X50.2MM 4-WIRE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NE34018-EVNF19 | 功能描述:射频开发工具 For NE34018-A Noise Figure at 1.9 GHz RoHS:否 制造商:Taiyo Yuden 产品:Wireless Modules 类型:Wireless Audio 工具用于评估:WYSAAVDX7 频率: 工作电源电压:3.4 V to 5.5 V |
| NE34018-T1 | 功能描述:MOSFET L-S Band Lo No Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NE34018-T1-64 | 功能描述:MOSFET L-S Band Lo No Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NE34018-T1-64-A | 功能描述:射频GaAs晶体管 L-S Band Lo No Amp RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| NE34018-T1-A | 功能描述:射频GaAs晶体管 L-S Band Lo No Amp RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
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