| 型号: | NE3503M04-T2-A |
| 元件分类: | 开关 |
| 英文描述: | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
| 文件页数: | 1/7页 |
| 文件大小: | 525K |
| 代理商: | NE3503M04-T2-A |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| NE3505M04-A | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR HFET |
| NE3508M04 | 制造商:CEL 制造商全称:CEL 功能描述:HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISITOR |
| NE3508M04-A | 功能描述:射频GaAs晶体管 L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| NE3508M04-EVNF23 | 功能描述:射频GaAs晶体管 SPR LW Noise Pseudo HJ FET EVAL Fixt RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |