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参数资料
| 型号： | NE3508M04-A |
| 厂商： | CEL |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 378K |
| 描述： | AMP HJ-FET 2GHZ 4-TSMM |
| 产品目录绘图： | NE3, NE6 Series |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | HFET |
| 频率： | 2GHz |
| 增益： | 14dB |
| 电压 - 测试： | 2V |
| 额定电流： | 120mA |
| 噪音数据： | 0.45dB |
| 电流 - 测试： | 10mA |
| 功率 - 输出： | 18dBm |
| 电压 - 额定： | 4V |
| 封装/外壳： | 4-TSMM |
| 供应商设备封装： | F4TSMM，M04 |
| 包装： | 散装 |
| 产品目录页面： | 577 (CN2011-ZH PDF) |
Data Sheet PG10586EJ02V0DS
2
NE3508M04
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS (TA
= +25?C)
Parameter
Symbol
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Drain to Source Voltage
VDS
?
2
3
V
Drain Current
ID
?
10
30
mA
Input Power
Pin
?
?
0
dBm
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA
= +25?C, unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Gate to Source Leak Current
IGSO
VGS
= ?3
V
?
1
20
?A
Saturated Drain Current
IDSS
VDS
= 2 V, VGS
= 0
V
60
90
120
mA
Gate to Source Cutoff Voltage
VGS (off)
VDS
= 2 V, ID
= 100 ?A
?0.25
?0.5
?0.75
V
Transconductance
gm
VDS
= 2 V, ID
= 10 mA
100
?
?
mS
Noise Figure
NF
VDS
= 2 V, ID
= 10 mA, f = 2 GHz
?
0.45
0.7
dB
Associated Gain
Ga
12
14
?
dB
Gain 1 dB Compression
PO (1 dB)
VDS
= 3
V, ID
= 30 mA (Non-RF),
?
18
?
dBm
Output Power
f = 2 GHz
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CWX825-64.0M | OSC 64.0000MHZ 5.0V +-50PPM SMD |
| C3292-80.000 | OSC 80.000 MHZ 5.0V +/-50PPM SMD |
| C3292-75.000 | OSC 75.000 MHZ 5.0V +/-50PPM SMD |
| C3390-80.000 | OSC 80.000MHZ 3.3V +/-100PPM SMD |
| C3390-75.000 | OSC 75.000MHZ 3.3V +/-100PPM SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NE3508M04-EVNF23 | 功能描述:射频GaAs晶体管 SPR LW Noise Pseudo HJ FET EVAL Fixt RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| NE3508M04-EVNF23-A | 功能描述:射频开发工具 L to S band LNA Eval Brd RoHS:否 制造商:Taiyo Yuden 产品:Wireless Modules 类型:Wireless Audio 工具用于评估:WYSAAVDX7 频率: 工作电源电压:3.4 V to 5.5 V |
| NE3508M04-T2 | 制造商:CEL 制造商全称:CEL 功能描述:HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISITOR |
| NE3508M04-T2-A | 功能描述:射频GaAs晶体管 L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| NE3509M04 | 制造商:CEL 制造商全称:CEL 功能描述:L TO S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
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