参数资料
型号: NE3508M04-T2-A
厂商: CEL
文件页数: 2/9页
文件大小: 378K
描述: AMP HJ-FET 2GHZ 4-TSMM
标准包装: 3,000
晶体管类型: HFET
频率: 2GHz
增益: 14dB
电压 - 测试: 2V
额定电流: 120mA
噪音数据: 0.45dB
电流 - 测试: 10mA
功率 - 输出: 18dBm
电压 - 额定: 4V
封装/外壳: 4-TSMM
供应商设备封装: F4TSMM,M04
包装: 带卷 (TR)
Data Sheet PG10586EJ02V0DS
2
NE3508M04
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS (TA
= +25?C)
Parameter
Symbol
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Drain to Source Voltage
VDS
?
2
3
V
Drain Current
ID
?
10
30
mA
Input Power
Pin
?
?
0
dBm
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA
= +25?C, unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Gate to Source Leak Current
IGSO
VGS
= ?3
V
?
1
20
?A
Saturated Drain Current
IDSS
VDS
= 2 V, VGS
= 0
V
60
90
120
mA
Gate to Source Cutoff Voltage
VGS (off)
VDS
= 2 V, ID
= 100 ?A
?0.25
?0.5
?0.75
V
Transconductance
gm
VDS
= 2 V, ID
= 10 mA
100
?
?
mS
Noise Figure
NF
VDS
= 2 V, ID
= 10 mA, f = 2 GHz
?
0.45
0.7
dB
Associated Gain
Ga
12
14
?
dB
Gain 1 dB Compression
PO (1 dB)
VDS
= 3
V, ID
= 30 mA (Non-RF),
?
18
?
dBm
Output Power
f = 2 GHz
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PDF描述
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