型号: | NE3508M04-T2 |
元件分类: | 开关 |
英文描述: | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
文件页数: | 7/7页 |
文件大小: | 525K |
代理商: | NE3508M04-T2 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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NE3508M04-T2-A | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
NESG2031M16 | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
NESG2031M16-T3-A | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
NDL5421P_00 | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
NDL5461P_00 | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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NE3508M04-T2-A | 功能描述:射频GaAs晶体管 L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
NE3509M04 | 制造商:CEL 制造商全称:CEL 功能描述:L TO S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
NE3509M04_06 | 制造商:CEL 制造商全称:CEL 功能描述:L TO S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
NE3509M04-A | 功能描述:射频GaAs晶体管 L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
NE3509M04-EVNF24 | 功能描述:射频开发工具 For NE3509M04-A RoHS:否 制造商:Taiyo Yuden 产品:Wireless Modules 类型:Wireless Audio 工具用于评估:WYSAAVDX7 频率: 工作电源电压:3.4 V to 5.5 V |