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参数资料
| 型号： | NE521DG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC COMPARATOR DUAL DIFF 14-SOIC |
| 标准包装： | 55 |
| 类型： | 差分 |
| 元件数： | 2 |
| 输出类型： | TTL |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | ±4.75 V ~ 5.25 V |
| 电流 - 静态（最大值）： | 35mA |
| 封装/外壳： | 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | NE521DG-ND NE521DGOS |
NE521
http://onsemi.com
4
TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS
20mV
5mV
10mV
4
3
2
1
0
100
50
0
5
10
15
20
25
30
VS = +5V
TA = 25oC
100mV
TIME — nS
INPUT
VOL
TAGE
(mV)
OUTPUT
VOL
TAGE
(V)
TA = 25oC
VS = +5V
5mV
10mV
100mV
50mV
0
5
10
15
20
25
30
TIME — nS
INPUT
VOL
TAGE
(mV)
OUTPUT
VOL
TA
GE
(V)
4
3
2
1
0
100
50
0
INPUT VOLTAGE (mVpp)
PROP
AGA
TION
DELA
Y
(ns)
VS = +5V
10MHz SQUARE
WAVE INPUT
TA = 25oC
TPD (LH)
TPD (HL)
10
20
30
40
50
60
70
12
10
8
6
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
100
1000
INPUT VOLTAGE (m Vpp)
PROP
AGA
TION
DELA
Y
(ns)
VS = +5V
10MHz SQUARE
WAVE INPUT
TA = 25oC
TPD (LH)
TPD (HL)
4.0
3.0
2.0
1.0
75
25
+25
+75
VOL
VOH
AMBIENT TEMPERATURE (oC)
OUTPUT
VOL
TAGE
(V)
75
25
+25
+75
+125
AMBIENT TEMPERATURE (oC)
12
11
10
9
8
7
6
INPT
BIAS
CURRENT
(
A)
μ
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
75
25
+25
+75
+125
AMBIENT TEMPERATURES (oC)
INPUT
OFSET
CURRENT
(
A)
μ
12
10
8
6
4
2
60
20
+60
+100
+140
TPD (LH)
TPD (HL)
AMBIENT TEMPERATURE (oC)
TESPONSE
TIME
(ns)
Figure 3. Response Time for
Various Input Overdrives
Figure 4. Response Time for
Various Input Overdrives
Figure 5. Response Time
vs. Temperature
Figure 6. Propagation Delay
for Various Input Voltages
Figure 7. Propagation Delay
for Various Input Voltages
Figure 8. Output Voltage vs.
Ambient Temperature
Figure 9. Input Bias Current
vs. Ambient Temperature
Figure 10. Input Offset
Current vs. Ambient
Temperature
+125
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