型号: | NE5230DR2 |
厂商: | ON Semiconductor |
文件页数: | 6/18页 |
文件大小: | 0K |
描述: | IC OPAMP LOW VOLTAGE 8-SOIC |
产品变化通告: | Product Obsolescence 11/Feb/2009 |
标准包装: | 2,500 |
放大器类型: | 通用 |
电路数: | 1 |
输出类型: | 满摆幅 |
转换速率: | 0.25 V/µs |
增益带宽积: | 600kHz |
电流 - 输入偏压: | 40nA |
电压 - 输入偏移: | 400µV |
电流 - 电源: | 1.1mA |
电流 - 输出 / 通道: | 32mA |
电压 - 电源,单路/双路(±): | 1.8 V ~ 15 V,±0.9 V ~ 7.5 V |
工作温度: | 0°C ~ 70°C |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装: | 8-SOICN |
包装: | 带卷 (TR) |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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AS168X-CB1DG015 | CIRCUIT BRKR THERMAL 1.5A 1POLE |
0459858421 | CONN HEADER 8PWR 16SGL 3.18MM |
0459848143 | CONN RCPT R/A 8PWR 24SGL 1.57MM |
0459848142 | CONN RCPT R/A 8PWR 24SGL 2.36MM |
AS168X-CB1DG070 | CIRCUIT BRKR THERMAL 7.0A 1POLE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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NE5230DR2G | 功能描述:运算放大器 - 运放 1.8V Single Rail to Rail Commercial Temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比(最小值):63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流(最大值):10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
NE5230N | 功能描述:运算放大器 - 运放 1.8V Single Rail to RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比(最小值):63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流(最大值):10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
NE5230NG | 功能描述:运算放大器 - 运放 1.8V Single Rail to Rail Commercial Temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比(最小值):63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流(最大值):10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
NE5232 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Matched dual high-performance low-voltage operational amplifier |
NE5232D | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Matched dual high-performance low-voltage operational amplifier |