参数资料
型号: NE5230DR2G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 9/18页
文件大小: 0K
描述: IC OPAMP LOW VOLTAGE 8-SOIC
标准包装: 1
放大器类型: 通用
电路数: 1
输出类型: 满摆幅
转换速率: 0.25 V/µs
增益带宽积: 600kHz
电流 - 输入偏压: 40nA
电压 - 输入偏移: 400µV
电流 - 电源: 1.1mA
电流 - 输出 / 通道: 32mA
电压 - 电源,单路/双路(±): 1.8 V ~ 15 V,±0.9 V ~ 7.5 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 剪切带 (CT)
其它名称: NE5230DR2GOSCT
NE5230, SA5230, SE5230
http://onsemi.com
17
PACKAGE DIMENSIONS
PDIP8
CASE 62605
ISSUE M
14
5
8
F
NOTE 5
D
e
b
L
A1
A
E3
E
A
TOP VIEW
C SEATING
PLANE
0.010
CA
SIDE VIEW
END VIEW
NOTE 3
DIM
MIN
NOM
MAX
INCHES
A
0.210
A1 0.015
b
0.014
0.018
0.022
C
0.008
0.010
0.014
D
0.355
0.365
0.400
D1 0.005
e
0.100 BSC
E
0.300
0.310
0.325
L
0.115
0.130
0.150
5.33
0.38
0.35
0.46
0.56
0.20
0.25
0.36
9.02
9.27
10.02
0.13
2.54 BSC
7.62
7.87
8.26
2.92
3.30
3.81
MIN
NOM
MAX
MILLIMETERS
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ASME
Y14.5M, 1994.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCHES.
3. DIMENSION E IS MEASURED WITH THE LEADS RE-
STRAINED PARALLEL AT WIDTH E2.
4. DIMENSION E1 DOES NOT INCLUDE MOLD FLASH.
5. ROUNDED CORNERS OPTIONAL.
E1
0.240
0.250
0.280
6.10
6.35
7.11
E2
E3
0.430
10.92
0.300 BSC
7.62 BSC
E1
D1
M
8X
e/2
E2
c
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PDF描述
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参数描述
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NE5230NG 功能描述:运算放大器 - 运放 1.8V Single Rail to Rail Commercial Temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比(最小值):63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流(最大值):10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel
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