| 型号: | NE5517AN |
| 厂商: | ON Semiconductor |
| 文件页数: | 8/15页 |
| 文件大小: | 0K |
| 描述: | IC AMP XCONDUCTANCE DUAL 16-DIP |
| 产品变化通告: | Product Obsolescence 11/Feb/2009 |
| 标准包装: | 25 |
| 放大器类型: | 跨导 |
| 电路数: | 2 |
| 输出类型: | 推挽式 |
| 转换速率: | 50 V/µs |
| 增益带宽积: | 2MHz |
| 电流 - 输入偏压: | 400nA |
| 电压 - 输入偏移: | 400µV |
| 电流 - 电源: | 2.6mA |
| 电流 - 输出 / 通道: | 650µA |
| 电压 - 电源,单路/双路(±): | 4 V ~ 44 V,±2 V ~ 22 V |
| 工作温度: | 0°C ~ 70°C |
| 安装类型: | 通孔 |
| 封装/外壳: | 16-DIP(0.300",7.62mm) |
| 供应商设备封装: | 16-DIP |
| 包装: | 管件 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AS168X-CB1DG005 | CIRCUIT BRKR THERMAL 0.5A 1POLE |
| 0459848381 | CONN RCPT R/A 8PWR 40SGL 3.18MM |
| MCP6L71RT-E/OT | IC OPAMP 2.0MHZ 2.0V SOT23-5 |
| NE5230DR2 | IC OPAMP LOW VOLTAGE 8-SOIC |
| AS168X-CB1DG015 | CIRCUIT BRKR THERMAL 1.5A 1POLE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NE5517AN,602 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| NE5517ANG | 功能描述:跨导放大器 Transconductance Dual Commercial Temp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 封装 / 箱体:SOIC-14 带宽: 输入补偿电压:40 mV at +/- 5 V 电源电压-最大:+/- 5 V 电源电流: 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装:Tube |
| NE5517D | 功能描述:跨导放大器 Transconductance RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 封装 / 箱体:SOIC-14 带宽: 输入补偿电压:40 mV at +/- 5 V 电源电压-最大:+/- 5 V 电源电流: 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装:Tube |
| NE5517DG | 功能描述:跨导放大器 Transconductance Dual Commercial Temp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 封装 / 箱体:SOIC-14 带宽: 输入补偿电压:40 mV at +/- 5 V 电源电压-最大:+/- 5 V 电源电流: 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装:Tube |
| NE5517DR2 | 功能描述:跨导放大器 Transconductance RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 封装 / 箱体:SOIC-14 带宽: 输入补偿电压:40 mV at +/- 5 V 电源电压-最大:+/- 5 V 电源电流: 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装:Tube |