参数资料
| 型号： | NE5517ANG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 8/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC AMP XCONDUCTANCE DUAL 16-DIP |
| 标准包装： | 25 |
| 放大器类型： | 跨导 |
| 电路数： | 2 |
| 输出类型： | 推挽式 |
| 转换速率： | 50 V/µs |
| 增益带宽积： | 2MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 400nA |
| 电压 - 输入偏移： | 400µV |
| 电流 - 电源： | 2.6mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 650µA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 4 V ~ 44 V，±2 V ~ 22 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 16-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 16-DIP |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1131 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NE5517ANG-ND NE5517ANGOS |
NE5517, NE5517A, AU5517
http://onsemi.com
2
PIN DESCRIPTION
Pin No.
Symbol
Description
1
IABCa
Amplifier Bias Input A
2
Da
Diode Bias A
3
+INa
Non-inverted Input A
4
INa
Inverted Input A
5
VOa
Output A
6
V
Negative Supply
7
INBUFFERa
Buffer Input A
8
VOBUFFERa
Buffer Output A
9
VOBUFFERb
Buffer Output B
10
INBUFFERb
Buffer Input B
11
V+
Positive Supply
12
VOb
Output B
13
INb
Inverted Input B
14
+INb
Non-inverted Input B
15
Db
Diode Bias B
16
IABCb
Amplifier Bias Input B
V+
11
D4
Q6
Q7
2,15
D2
Q4
Q5
D3
INPUT
4,13
+INPUT
3,14
AMP BIAS
INPUT
1,16
Q2
Q1
D1
V
6
Q10
D6
Q11
VOUTPUT
5,12
Q9
Q8
D5
Q14
Q15
Q16
R1
D7
D8
Q3
7,10
Q12
Q13
8,9
Figure 1. Circuit Schematic
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PDF描述 |
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| NE5517DR2 | 功能描述:跨导放大器 Transconductance RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 封装 / 箱体:SOIC-14 带宽: 输入补偿电压:40 mV at +/- 5 V 电源电压-最大:+/- 5 V 电源电流: 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装:Tube |
| NE5517DR2G | 功能描述:跨导放大器 Transconductance Dual Commercial Temp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 封装 / 箱体:SOIC-14 带宽: 输入补偿电压:40 mV at +/- 5 V 电源电压-最大:+/- 5 V 电源电流: 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装:Tube |
| NE5517D-T | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Transconductance Operational Amplifier |
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