参数资料
| 型号： | NE5517DG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC AMP XCONDUCTANCE DUAL 16-SOIC |
| 标准包装： | 48 |
| 放大器类型： | 跨导 |
| 电路数： | 2 |
| 输出类型： | 推挽式 |
| 转换速率： | 50 V/µs |
| 增益带宽积： | 2MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 400nA |
| 电压 - 输入偏移： | 400µV |
| 电流 - 电源： | 2.6mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 650µA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 4 V ~ 44 V，±2 V ~ 22 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1131 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NE5517DG-ND NE5517DGOS |
NE5517, NE5517A, AU5517
http://onsemi.com
11
fO +
RA gM
g(R ) RA) 2pC
NOTE:
VCC
4
3
+
NE5517/A
8
VOUT
VCC
11
+VCC
5
IABC
2
R
7
INT
C
+VCC
VC
RA
1
150pF
6
VIN
Figure 28. Voltage-Controlled Low-Pass Filter
30kW
100kW
200W
100kW
10kW
fO +
RA gM
g(R ) RA) 2pC
NOTE:
VCC
4
3
+
NE5517/A
8
VOUT
VCC
11
+VCC
5
IABC
2
R
7
INT
C
+VCC
VC
RA
1
6
VOS
NULL
+VCC
-VCC
0.005mF
Figure 29. Voltage-Controlled High-Pass Filter
30kW
100kW
1kW
100kW
10kW
NOTE:
fO +
RA gM
(R ) RA)2p C
+VCC
+
NE5517/A
VOUT
VCC
+VCC
INT
VC
RA
200pF
+
NE5517/A
+VCC
RA
R
C
VCC
100pF
-VCC
VIN
RA
200
Figure 30. Butterworth Filter 2nd Order
100kW
200W
100kW
10kW
200W
100
kW
200W
15kW
10kW
C2
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| NE5517DR2G | 功能描述:跨导放大器 Transconductance Dual Commercial Temp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 封装 / 箱体:SOIC-14 带宽: 输入补偿电压:40 mV at +/- 5 V 电源电压-最大:+/- 5 V 电源电流: 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装:Tube |
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| NE5517NG | 功能描述:跨导放大器 Transconductance Dual Commercial Temp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 封装 / 箱体:SOIC-14 带宽: 输入补偿电压:40 mV at +/- 5 V 电源电压-最大:+/- 5 V 电源电流: 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装:Tube |
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