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参数资料
| 型号： | NE651R479A-A |
| 厂商： | CEL |
| 文件页数： | 8/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | HJ-FET GAAS 1.9GHZ 1W 79A |
| 产品目录绘图： | NEx5 Series |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | HFET |
| 频率： | 1.9GHz |
| 增益： | 12dB |
| 电压 - 测试： | 3.5V |
| 额定电流： | 1A |
| 电流 - 测试： | 50mA |
| 功率 - 输出： | 27dBm |
| 电压 - 额定： | 8V |
| 封装/外壳： | 79A |
| 供应商设备封装： | 79A |
| 包装： | 散装 |
NE651R479A
TYPICAL APPLICATION CIRCUIT PERFORMANCE at VDS = 5 V, f = 2.66 GHz
34
32
30
28
26
OUTPUT POWER vs. INPUT POWER
Test Condition: Circuit optimized
for P-2dB from 2.64 to 2.69 GHz
Instantaneous Bandwidth when
biasing at 5 V 50 mA
-20
-25
-30
-35
THIRD ORDER INTERMODULATION vs.
TOTAL OUTPUT POWER
Test Condition: Circuit optimized
for P-2dB from 2.64 to 2.69 GHz
Instantaneous Bandwidth when
biasing at 5 V 50 mA
24
20
-40
18
16
8
10
12
50 mA
150 mA
300 mA
14 16 18 20 22
Input Power, P IN (dBm)
24
100 mA
200 mA
350 mA
26 28
-45
-50
16
50 mA 100 mA
150 mA 200 mA
300 mA 350 mA
18 20 22 24 26 28
Total Output Power, P OUT (dBm)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE6510179A-A | HJ-FET GAAS 1.9GHZ 3W 79A |
| NE34018-T1-A | AMP HJ-FET 2GHZ SOT-343 |
| FMBC-0994-H100 | FMAC INPUT FILTER 3PHASE 110A |
| B3S-1102P | SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 24V |
| B3SL-1002P | SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 12V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NE651R479A-EVPW19 | 功能描述:射频GaAs晶体管 For NE651R479A-A Power at 1.9 GHz RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| NE651R479A-EVPW24 | 功能描述:射频GaAs晶体管 For NE651R479A-A Power at 2.4 GHz RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| NE651R479A-EVPW26 | 功能描述:射频GaAs晶体管 For NE651R479A-A Power at 2.6 GHz RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| NE651R479A-EVPW35 | 功能描述:射频GaAs晶体管 For NE651R479A-A Power at 3.5 GHz RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| NE651R479A-T1 | 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:Trans JFET N-CH 8V 1A 4-Pin Case 79A T/R |
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