内容:
型号: BQ25895RTWR
数量:2472
厂商:Texas Instruments
描述:IC MOSFET DRIVR DUAL HS 4A 8SOIC
联系人:王小姐
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详细信息
系列 | - |
包装 | 剪切带(CT) |
零件状态 | 有效 |
驱动配置 | 低压侧 |
通道类型 | 独立式 |
驱动器数 | 2 |
栅极类型 | N 沟道,P 沟道 MOSFET |
电压 - 电源 | 4.5 V ~ 15 V |
逻辑电压 - VIL,VIH | 1V,2V |
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) | 4A,4A |
输入类型 | 非反相 |
高压侧电压 - 最大值(自举) | - |
上升/下降时间(典型值) | 20ns,15ns |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-SOIC |
标准包装 | 1 |
其它名称 | |