- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录22286 > NIF5002NT3G (ON Semiconductor)MOSFET N-CH 42V 2A SOT-223 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | NIF5002NT3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 42V 2A SOT-223 |
| 产品变化通告： | Specification Change MSL Updated 2/April/2007 |
| 标准包装： | 4,000 |
| 系列： | HDPlus™ |
| 类型： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 输出数： | 1 |
| 导通状态电阻： | 165 毫欧 |
| 电流 - 峰值输出： | 2A |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NIF5002NT3G-ND NIF5002NT3GOSTR |
NIF5002N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
7
6
5
4
10 V
9V
8V
7V
6V
5V
4V
3.8 V
T J = 25 ° C
4
3
2
V DS ≥ 10 V
3
3.6 V
2
1
0
3.4 V
3.2 V
3.0 V
2.8 V
2.6 V
1
0
25 ° C
100 ° C
T J = ?55 ° C
0
1
2
3
4
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On?Region Characteristics
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
1.0
0.9
0.8
0.7
I D = 1.7 A
T J = 25 ° C
0.3
0.25
0.2
T J = 25 ° C
V GS = 5 V
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.15
0.1
0.05
0
V GS = 10 V
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2
3
4
5
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On?Resistance vs. Gate?to?Source
Voltage
2.5
I D = 1.7 A
V GS = 5 V
10000
I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On?Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
V GS = 0 V
2
1000
T J = 150 ° C
1.5
100
1
0.5
10
T J = 100 ° C
0
1
?50
?25
0
25
50
75
100
125
150
10
20
30
40
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On?Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain?to?Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1879056-8 | CAP TANT 2.2UF 25V 10% 1411 |
| NIF62514T1G | MOSFET N-CH HD+ 6A 40V SOT223 |
| RPR50-11015S-1 | CONV DC/DC 50W 40-160VIN 15VOUT |
| H7MFH-2506M | CABLE D-SUB-HMP25H/AE25M/HFP25H |
| RMM40DTAI | CONN EDGECARD 80POS R/A .156 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NIF5003N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Self−Protected FET with Temperature and Current Limit |
| NIF5003NT1 | 功能描述:MOSFET 42V 14A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NIF5003NT1G | 功能描述:MOSFET 42V 14A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NIF5003NT3 | 功能描述:MOSFET 42V 14A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NIF5003NT3G | 功能描述:MOSFET 42V 14A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。