参数资料
型号: NIS5112D2R2G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 6/9页
文件大小: 410K
描述: IC ELECTRONIC FUSE HOTSWAP 8SOIC
标准包装: 2,500
功能: 电子保险丝
输入电压: 9 V ~ 18 V
电流 - 输出: 2A
工作温度: -40°C ~ 175°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 带卷 (TR)
其它名称: NIS5112D2R2G-ND
NIS5112D2R2GOSTR
NIS5112
http://onsemi.com
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Figure 7. Turnon Waveforms for an Overvoltage Condition (10 W Resistive Load)
Load Current
Input Voltage
V
out
 Regulated at 15 V
Figure 8. Current Waveforms for Overload, Short Circuit and Thermal Shutdown
10 ms/div
(2 V/div)
(1 A/div)
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