参数资料
| 型号： | NL17SHT126P5T5G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC GATE NONINV BUFFER SOT953 |
| 标准包装： | 8,000 |
| 逻辑类型： | 缓冲器/线路驱动器，非反相 |
| 元件数： | 1 |
| 每个元件的位元数： | 1 |
| 输出电流高，低： | 8mA，8mA |
| 电源电压： | 3 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -55°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-953 |
| 供应商设备封装： | SOT-953 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NL17SHT126
http://onsemi.com
3
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Test Conditions
VCC
(V)
TA = 25°C
TA ≤ 85°C
55 ≤ TA ≤ 125°C
Unit
Min
Typ
Max
Min
Max
Min
Max
VIH
Minimum HighLevel
Input Voltage
3.0
4.5
5.5
1.4
2.0
1.4
2.0
1.4
2.0
V
VIL
Maximum LowLevel
Input Voltage
3.0
4.5
5.5
0.53
0.8
0.53
0.8
0.53
0.8
V
VOH
Minimum HighLevel
Output Voltage
VIN = VIH or VIL
IOH = 50 mA
3.0
4.5
2.9
4.4
3.0
4.5
2.9
4.4
2.9
4.4
V
VIN = VIH or VIL
IOH = 4 mA
IOH = 8 mA
3.0
4.5
2.58
3.94
2.48
3.80
2.34
3.66
VOL
Maximum LowLevel
Output Voltage
VIN = VIH or VIL
IOL = 50 mA
3.0
4.5
0.0
0.1
V
VIN = VIH or VIL
IOL = 4 mA
IOL = 8 mA
3.0
4.5
0.36
0.44
0.52
IIN
Maximum Input Leak-
age Current
VIN = 5.5 V or GND
0 to
5.5
± 0.1
± 1.0
mA
ICC
Maximum Quiescent
Supply Current
VIN = VCC or GND
5.5
1.0
20
40
mA
ICCT
Quiescent Supply
Current
Input: VIN = 3.4 V
Other Input: VCC or GND
5.5
1.35
1.50
1.65
mA
IOPD
Output Leakage
Current
VOUT = 5.5 V
0.0
0.5
5.0
10
mA
IOZ
Maximum 3State
Leakage Current
VIN = VIH or VIL
VOUT = VCC or GND
5.5
± 0.25
± 2.5
mA
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS Input tr = tf = 3.0 ns
Symbol
Parameter
Test Conditions
TA = 25°C
TA ≤ 85°C
55 ≤ TA ≤ 125°C
Unit
Min
Typ
Max
Min
Max
Min
Max
tPLH,
tPHL
Maximum Propagation
Delay, A to Y
VCC = 3.3 ± 0.3 V CL = 15pF
CL = 50pF
5.6
8.1
8.0
11.5
1.0
9.5
13.0
12.0
16.0
ns
VCC = 5.0 ± 0.5 V CL = 15pF
CL = 50pF
3.8
5.3
5.5
7.5
1.0
6.5
8.5
10.5
tPZL,
tPZH
Maximum Output
Enable TIme,OE to Y
VCC = 3.3 ± 0.3 V CL = 15pF
RL = RI = 500 W
CL = 50pF
5.4
7.9
8.0
11.5
1.0
9.5
13.0
11.5
15.0
ns
VCC = 5.0 ± 0.5 V CL = 15pF
RL = RI = 500 W
CL = 50pF
3.6
5.1
7.1
1.0
6.0
8.0
7.5
9.5
tPLZ,
tPHZ
Maximum Output
Disable Time,OE to Y
VCC = 3.3 ± 0.3 V CL = 15pF
RL = RI = 500 W
CL = 50pF
6.5
8.0
9.7
13.2
1.0
11.5
15.0
14.5
18.0
ns
VCC = 5.0 ± 0.5 V CL = 15pF
RL = RI = 500 W
CL = 50pF
4.8
7.0
6.8
8.8
1.0
8.0
10.0
12.0
Cin
Maximum Input
Capacitance
4
10
pF
Cout
Maximum ThreeState
Output Capacitance
(Output in High
Impedance State)
6
pF
CPD
Power Dissipation Capacitance (Note 2)
Typical @ 25°C, VCC = 5.0 V
pF
14
2. CPD is defined as the value of the internal equivalent capacitance which is calculated from the operating current consumption without load.
Average operating current can be obtained by the equation: ICC(OPR) = CPD VCC fin + ICC/4 (per buffer). CPD is used to determine the
noload dynamic power consumption; PD = CPD VCC2 fin + ICC VCC.
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| NL17SHT32P5T5G | 功能描述:逻辑门 SINGLE 2-INPUT OR GATE RoHS:否 制造商:Texas Instruments 产品:OR 逻辑系列:LVC 栅极数量:2 线路数量（输入/输出）:2 / 1 高电平输出电流:- 16 mA 低电平输出电流:16 mA 传播延迟时间:3.8 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.65 V 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DCU-8 封装:Reel |
| NL17SV00 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Single 2-Input NAND Gate |
| NL17SV00XV5T2 | 功能描述:IC GATE NAND SGL 2INPUT SOT-553 RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 逻辑 - 栅极和逆变器 系列:17SV 标准包装:1 系列:74ACTQ 逻辑类型:与非门 电路数:3 输入数:3 特点:- 电源电压:4.5 V ~ 5.5 V 电流 - 静态（最大值）:2µA 输出电流高，低:24mA，24mA 逻辑电平 - 低:0.8V 逻辑电平 - 高:2V 额定电压和最大 CL 时的最大传播延迟:7.5ns @ 5V，50pF 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 供应商设备封装:14-SOIC 封装/外壳:14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 包装:管件 其它名称:74ACTQ10SCCT74ACTQ10SCCT-ND |
| NL17SV00XV5T2G | 功能描述:逻辑门 ULTRA LOW VOL2 INPUT LOG RoHS:否 制造商:Texas Instruments 产品:OR 逻辑系列:LVC 栅极数量:2 线路数量（输入/输出）:2 / 1 高电平输出电流:- 16 mA 低电平输出电流:16 mA 传播延迟时间:3.8 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.65 V 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DCU-8 封装:Reel |
| NL17SV02XV5T2 | 功能描述:IC GATE NOR SGL 2INPUT SOT-553 RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 逻辑 - 栅极和逆变器 系列:17SV 标准包装:1 系列:74ACTQ 逻辑类型:与非门 电路数:3 输入数:3 特点:- 电源电压:4.5 V ~ 5.5 V 电流 - 静态（最大值）:2µA 输出电流高，低:24mA，24mA 逻辑电平 - 低:0.8V 逻辑电平 - 高:2V 额定电压和最大 CL 时的最大传播延迟:7.5ns @ 5V，50pF 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 供应商设备封装:14-SOIC 封装/外壳:14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 包装:管件 其它名称:74ACTQ10SCCT74ACTQ10SCCT-ND |
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