参数资料
| 型号： | NLAS324US |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SWITCH DUAL SPST US8 |
| 产品变化通告： | LTB Notification 03/Jan/2008 |
| 标准包装： | 1 |
| 功能： | 开关 |
| 电路： | 2 x SPST - NC |
| 导通状态电阻： | 30 欧姆 |
| 电压电源： | 单电源 |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 2.2 V ~ 5.5 V |
| 电流 - 电源： | 1µA |
| 工作温度： | -55°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-VFSOP（0.091"，2.30mm 宽） |
| 供应商设备封装： | US8 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NLAS324USOSCT |
NLAS324
http://onsemi.com
4
ADDITIONAL APPLICATION CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND Unless Noted)
VCC
Limit
Symbol
Parameter
Condition
V
25
°C
Unit
BW
Maximum OnChannel 3dB Bandwidth
or Minimum Frequency Response
VIS = 0 dBm
VIS centered between VCC and GND
3.0
4.5
5.5
190
200
220
MHz
VONL
Maximum Feedthrough On Loss
VIS = 0 dBm @ 10 kHz
3.0
4.5
5.5
2
dB
VISO
OffChannel Isolation
f = 100 kHz; VIS = 1 V RMS
VIS centered between VCC and GND
3.0
4.5
5.5
93
dB
Q
Charge Injection
Enable Input to Common I/O
VIS = VCC to GND, FIS = 20 kHz
tr = tf = 3 ns
RIS = 0 W, CL = 1000 pF
3.0
5.5
1.5
3.0
pC
THD
Total Harmonic Distortion
THD + Noise
FIS = 20 Hz to 1 MHz, RL = Rgen = 600 W, CL = 50 pF
VIS = 3.0 VPP sine wave
3.3
5.5
0.3
0.15
%
55
1.00E+03
5
1.00E01
15
35
LEAKAGE
(pA)
1.00E04
Figure 3. Switch Leakage vs. Temperature
1.00E+05
INO(OFF)
TEMPERATURE (
°C)
1.00E03
1.00E02
1.00E+00
1.00E+02
1.00E+04
25
45
1.00E05
1.00E06
1.00E07
1.00E+01
65
85
105 125 145
ICOM(ON)
ICOM(OFF)
90%
50%
0 V
Input
Output
35 pF
Input
COM
DUT
NO
Figure 4. tON/tOFF
tON
tOFF
VOH
VCC
VOL
VCC
300
W
VOUT
0.1
mF
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PDF描述 |
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