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参数资料
| 型号： | NLAS4051DR2 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MUX/DEMUX 8X1 16SOIC |
| 产品变化通告： | LTB Notification 03/Jan/2008 |
| 标准包装： | 1 |
| 功能： | 多路复用器/多路分解器 |
| 电路： | 1 x 8:1 |
| 导通状态电阻： | 33 欧姆 |
| 电压电源： | 单/双电源 |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 2.5 V ~ 5 V，±3 V |
| 电流 - 电源： | 40µA |
| 工作温度： | -55°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NLAS4051DR2OSDKR |
NLAS4051
http://onsemi.com
4
AC CHARACTERISTICS (Input tr = tf = 3 ns)
Parameter
Test Conditions
Symbol
VCC
V
VEE
V
Guaranteed Limit
Unit
55 to 25
_C
v85_C
v125_C
Min
Typ*
Minimum BreakBefore
Make Time
VIN = VIL or VIH
VIS = VCC
RL = 300 W, CL = 35 pF
(Figure 19)
tBBM
3.0
4.5
3.0
0.0
3.0
1.0
6.5
5.0
3.5
ns
*Typical Characteristics are at 25
_C.
AC CHARACTERISTICS (CL = 35 pF, Input tr = tf = 3 ns)
Parameter
VCC
V
VEE
V
Guaranteed Limit
Unit
55 to 25
°C
v85°C
v125°C
Symbol
Min
Typ
Max
Min
Max
Min
Max
Transition Time
(Address Selection Time)
(Figure 18)
tTRANS
2.5
3.0
4.5
3.0
0
3.0
22
20
16
40
28
23
45
30
25
50
35
30
28
ns
Turnon Time
Inhibit to NO or NC
tON
2.5
3.0
4.5
3.0
0
3.0
22
18
16
40
28
23
45
30
25
50
35
30
28
ns
Turnoff Time
Inhibit to NO or NC
tOFF
2.5
3.0
4.5
3.0
0
3.0
22
18
16
40
28
23
45
30
25
50
35
30
28
ns
Typical @ 25
°C, VCC = 5.0 V
Maximum Input Capacitance, Select Inputs
CIN
8
pF
Analog I/O
CNO or CNC
10
Common I/O
CCOM
10
Feedthrough
C(ON)
1.0
ADDITIONAL APPLICATION CHARACTERISTICS (GND = 0 V)
Parameter
Condition
VCC
V
VEE
V
Typ
Unit
Symbol
25
°C
Maximum OnChannel Bandwidth or
Minimum Frequency Response
VIS = (VCC VEE)
Source Amplitude = 0 dBm
BW
3.0
4.5
6.0
3.0
0.0
3.0
80
90
95
MHz
OffChannel Feedthrough Isolation
f =100 kHz; VIS = (VCC VEE)
Source = 0 dBm
VISO
3.0
4.5
6.0
3.0
0.0
3.0
93
dB
Maximum Feedthrough On Loss
VIS = (VCC VEE)
Source = 0 dBm
VONL
3.0
4.5
6.0
3.0
0.0
3.0
2
dB
Charge Injection
VIN = VCC to VEE, fIS = 1 kHz, tr = tf = 3 ns
RIS = 0 W, CL= 1000 pF, Q = CL * DVOUT
Q
5.0
3.0
0.0
3.0
9.0
12
pC
Total Harmonic Distortion THD + Noise
fIS = 1 MHz, RL = 10 KW, CL = 50 pF,
VIS = 5.0 VPP sine wave
VIS = 6.0 VPP sine wave
(Figure 13)
THD
6.0
3.0
0.0
3.0
0.10
0.05
%
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