- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录11187 > NLAS44599DTR2G (ON Semiconductor)IC SWITCH DUAL DPDT 16TSSOP PDF资料下载
参数资料
| 型号： | NLAS44599DTR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 7/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SWITCH DUAL DPDT 16TSSOP |
| 标准包装： | 1 |
| 功能： | 开关 |
| 电路： | 2 x DPDT |
| 导通状态电阻： | 30 欧姆 |
| 电压电源： | 单电源 |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 2 V ~ 5.5 V |
| 电流 - 电源： | 4µA |
| 工作温度： | -55°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-TSSOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1115 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NLAS44599DTR2GOSDKR |
NLAS44599
http://onsemi.com
3
MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
VCC
Positive DC Supply Voltage
*0.5 to )7.0
V
VIS
Analog Input Voltage (VNO or VCOM)
*0.5 v VIS v VCC )0.5
VIN
Digital Select Input Voltage
*0.5 v VI v)7.0
V
IIK
DC Current, Into or Out of Any Pin
$50
mA
PD
Power Dissipation in Still Air
QFN16
TSSOP16
800
450
mW
TSTG
Storage Temperature Range
*65 to )150
°C
TL
Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 Seconds
260
°C
TJ
Junction Temperature Under Bias
+150
°C
MSL
Moisture Sensitivity
Level 1
FR
Flammability Rating
Oxygen Index: 30% 35%
UL 94V0 (0.125 in)
VESD
ESD Withstand Voltage
Human Body Model (Note 1)
Machine Model (Note 2)
Charged Device Model (Note 3)
2000
200
1000
V
ILatchUp
LatchUp Performance
$300
mA
qJA
Thermal Resistance
QFN16
TSSOP16
80
164
°C/W
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect
device reliability.
1. Tested to EIA/JESD22A114A.
2. Tested to EIA/JESD22A115A.
3. Tested to JESD22C101A.
4. Tested to EIA/JESD78.
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
Symbol
Parameter
Min
Max
Unit
VCC
DC Supply Voltage
2.0
5.5
V
VIN
Digital Select Input Voltage
GND
5.5
V
VIS
Analog Input Voltage (NC, NO, COM)
GND
VCC
V
TA
Operating Temperature Range
*55
)125
°C
tr, tf
Input Rise or Fall Time, SELECT
VCC = 3.3 V $ 0.3 V
VCC = 5.0 V $ 0.5 V
0
100
20
ns/V
DEVICE JUNCTION TEMPERATURE VERSUS
TIME TO 0.1% BOND FAILURES
Junction
Temperature 5C
Time, Hours
Time, Years
80
1,032,200
117.8
90
419,300
47.9
100
178,700
20.4
110
79,600
9.4
120
37,000
4.2
130
17,800
2.0
140
8,900
1.0
1
10
100
1000
FAILURE RATE OF PLASTIC = CERAMIC
UNTIL INTERMETALLICS OCCUR
Figure 3. Failure Rate vs. Time Junction Temperature
NORMALIZED
F
AILURE
RA
T
E
TIME, YEARS
T
J=
1
30
°C
T
J=
1
20
°C
T
J=
1
10
°C
T
J=
1
00
°C
T
J=
9
0°
C
T
J=
8
0°
C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VI-B0K-IX | CONVERTER MOD DC/DC 40V 75W |
| NLAST44599DTR2 | IC SWITCH DUAL DPDT 16TSSOP |
| VI-B0J-IX | CONVERTER MOD DC/DC 36V 75W |
| NLAS44599DTR2 | IC SWITCH DUAL DPDT 16TSSOP |
| VI-B43-IX | CONVERTER MOD DC/DC 24V 75W |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NLAS44599MN | 功能描述:模拟开关 IC Dual DPDT ANLG Sw. RoHS:否 制造商:Texas Instruments 开关数量:2 开关配置:SPDT 开启电阻（最大值）:0.1 Ohms 切换电压（最大）: 开启时间（最大值）: 关闭时间（最大值）: 工作电源电压:2.7 V to 4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DSBGA-16 |
| NLAS44599MNG | 功能描述:模拟开关 IC Dual DPDT ANLG Sw. -55 to 125deg C RoHS:否 制造商:Texas Instruments 开关数量:2 开关配置:SPDT 开启电阻（最大值）:0.1 Ohms 切换电压（最大）: 开启时间（最大值）: 关闭时间（最大值）: 工作电源电压:2.7 V to 4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DSBGA-16 |
| NLAS44599MNR2 | 功能描述:模拟开关 IC Dual DPDT ANLG Sw. RoHS:否 制造商:Texas Instruments 开关数量:2 开关配置:SPDT 开启电阻（最大值）:0.1 Ohms 切换电压（最大）: 开启时间（最大值）: 关闭时间（最大值）: 工作电源电压:2.7 V to 4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DSBGA-16 |
| NLAS44599MNR2G | 功能描述:模拟开关 IC Dual DPDT ANLG Sw. -55 to 125deg C RoHS:否 制造商:Texas Instruments 开关数量:2 开关配置:SPDT 开启电阻（最大值）:0.1 Ohms 切换电压（最大）: 开启时间（最大值）: 关闭时间（最大值）: 工作电源电压:2.7 V to 4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DSBGA-16 |
| NLAS4501 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Single SPST Analog Switch |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。