参数资料
型号: NLAST44599DTR2
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 8/13页
文件大小: 0K
描述: IC SWITCH DUAL DPDT 16TSSOP
标准包装: 1
功能: 开关
电路: 2 x DPDT
导通状态电阻: 30 欧姆
电压电源: 单电源
电压 - 电源,单路/双路(±): 2 V ~ 5.5 V
电流 - 电源: 4µA
工作温度: -55°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 16-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
供应商设备封装: 16-TSSOP
包装: 剪切带 (CT)
其它名称: NLAST44599DTROSCT
NLAST44599
http://onsemi.com
4
DC CHARACTERISTICS Digital Section (Voltages Referenced to GND)
Symbol
Parameter
Condition
VCC
Guaranteed Limit
Unit
*555C to 255C
t855C
t1255C
VIH
Minimum HighLevel Input
Voltage, Select Inputs
3.0
4.5
5.5
2.0
V
VIL
Maximum LowLevel Input
Voltage, Select Inputs
3.0
4.5
5.5
0.5
0.8
0.5
0.8
0.5
0.8
V
IIN
Maximum Input Leakage
Current
VIN = 5.5 V or GND
5.5
$0.2
$2.0
mA
IOFF
Power Off Leakage Current,
Select Inputs
VIN = 5.5 V or GND
0
$10
mA
ICC
Maximum Quiescent Supply
Current
Select and VIS = VCC or GND
5.5
4.0
8.0
mA
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS Analog Section
Symbol
Parameter
Condition
VCC
Guaranteed Limit
Unit
*555C to 255C
t855C
t1255C
RON
Maximum “ON” Resistance
(Figures 17 23)
VIN = VIL or VIH
VIS = GND to VCC
IINI v 10.0 mA
2.5
3.0
4.5
5.5
85
45
30
25
95
50
35
30
105
55
40
35
W
RFLAT
(ON)
ON Resistance Flatness
(Figures 17 23)
VIN = VIL or VIH
IINI v10.0 mA
VIS = 1 V, 2 V, 3.5 V
4.5
4
5
W
INC(OFF)
INO(OFF)
NO or NC Off Leakage
Current (Figure 9)
VIN = VIL or VIH
VNO or VNC = 1.0 VCOM 4.5 V
5.5
1
10
100
nA
ICOM(ON) COM ON Leakage Current
(Figure 9)
VIN = VIL or VIH
VNO 1.0 V or 4.5 V with VNC floating or
VNO 1.0 V or 4.5 V with VNO floating
VCOM = 1.0 V or 4.5 V
5.5
1
10
100
nA
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NLAST44599MNR2 功能描述:模拟开关 IC Dual DPDT Sw. w/TTL RoHS:否 制造商:Texas Instruments 开关数量:2 开关配置:SPDT 开启电阻(最大值):0.1 Ohms 切换电压(最大): 开启时间(最大值): 关闭时间(最大值): 工作电源电压:2.7 V to 4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DSBGA-16
NLAST44599MNR2G 功能描述:模拟开关 IC Dual DPDT Sw. w/TTL Level -55 to 125 C RoHS:否 制造商:Texas Instruments 开关数量:2 开关配置:SPDT 开启电阻(最大值):0.1 Ohms 切换电压(最大): 开启时间(最大值): 关闭时间(最大值): 工作电源电压:2.7 V to 4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DSBGA-16