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参数资料
| 型号： | NLAST44599MNR2 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 8/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SWITCH DUAL DPDT 16QFN |
| 产品变化通告： | LTB Notification 03/Jan/2008 |
| 标准包装： | 1 |
| 功能： | 开关 |
| 电路： | 2 x DPDT |
| 导通状态电阻： | 30 欧姆 |
| 电压电源： | 单电源 |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 2 V ~ 5.5 V |
| 电流 - 电源： | 4µA |
| 工作温度： | -55°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-VFQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 16-QFN（3x3） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NLAST44599MNRODKR NLAST44599MNRODKR-ND NLAST44599MNROSDKR |
NLAST44599
http://onsemi.com
4
DC CHARACTERISTICS Digital Section (Voltages Referenced to GND)
Symbol
Parameter
Condition
VCC
Guaranteed Limit
Unit
*555C to 255C
t855C
t1255C
VIH
Minimum HighLevel Input
Voltage, Select Inputs
3.0
4.5
5.5
2.0
V
VIL
Maximum LowLevel Input
Voltage, Select Inputs
3.0
4.5
5.5
0.5
0.8
0.5
0.8
0.5
0.8
V
IIN
Maximum Input Leakage
Current
VIN = 5.5 V or GND
5.5
$0.2
$2.0
mA
IOFF
Power Off Leakage Current,
Select Inputs
VIN = 5.5 V or GND
0
$10
mA
ICC
Maximum Quiescent Supply
Current
Select and VIS = VCC or GND
5.5
4.0
8.0
mA
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS Analog Section
Symbol
Parameter
Condition
VCC
Guaranteed Limit
Unit
*555C to 255C
t855C
t1255C
RON
Maximum “ON” Resistance
VIN = VIL or VIH
VIS = GND to VCC
IINI v 10.0 mA
2.5
3.0
4.5
5.5
85
45
30
25
95
50
35
30
105
55
40
35
W
RFLAT
(ON)
ON Resistance Flatness
VIN = VIL or VIH
IINI v10.0 mA
VIS = 1 V, 2 V, 3.5 V
4.5
4
5
W
INC(OFF)
INO(OFF)
NO or NC Off Leakage
Current (Figure 9)
VIN = VIL or VIH
VNO or VNC = 1.0 VCOM 4.5 V
5.5
1
10
100
nA
ICOM(ON) COM ON Leakage Current
(Figure 9)
VIN = VIL or VIH
VNO 1.0 V or 4.5 V with VNC floating or
VNO 1.0 V or 4.5 V with VNO floating
VCOM = 1.0 V or 4.5 V
5.5
1
10
100
nA
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| NLAST44599MNR2G | 功能描述:模拟开关 IC Dual DPDT Sw. w/TTL Level -55 to 125 C RoHS:否 制造商:Texas Instruments 开关数量:2 开关配置:SPDT 开启电阻（最大值）:0.1 Ohms 切换电压（最大）: 开启时间（最大值）: 关闭时间（最大值）: 工作电源电压:2.7 V to 4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DSBGA-16 |
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