参数资料
| 型号： | NLU1G04CMX1TCG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC INVERTER ADV HS SGL 6-ULLGA |
| 标准包装： | 3,000 |
| 逻辑类型： | 逆变器，缓冲器 |
| 电路数： | 1 |
| 输入数： | 1 |
| 电源电压： | 1.65 V ~ 5.5 V |
| 电流 - 静态（最大值）： | 1µA |
| 输出电流高，低： | 8mA，8mA |
| 额定电压和最大 CL 时的最大传播延迟： | 7.5ns @ 4.5V ~ 5.5V，50pF |
| 工作温度： | -55°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 供应商设备封装： | 6-ULLGA（1x1） |
| 封装/外壳： | 6-XFLGA |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NLU1G04
http://onsemi.com
2
MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
VCC
DC Supply Voltage
0.5 to +7.0
V
VIN
DC Input Voltage
0.5 to +7.0
V
VOUT
DC Output Voltage
0.5 to +7.0
V
IIK
DC Input Diode Current
VIN < GND
20
mA
IOK
DC Output Diode Current
VOUT < GND
±20
mA
IO
DC Output Source/Sink Current
±12.5
mA
ICC
DC Supply Current Per Supply Pin
±25
mA
IGND
DC Ground Current per Ground Pin
±25
mA
TSTG
Storage Temperature Range
65 to +150
°C
TL
Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 Seconds
260
°C
TJ
Junction Temperature Under Bias
150
°C
MSL
Moisture Sensitivity
Level 1
FR
Flammability Rating Oxygen
Index: 28 to 34
UL 94 V0 @ 0.125 in
VESD
ESD Withstand Voltage
Human Body Model (Note 2)
Machine Model (Note 3)
Charged Device Model (Note 4)
> 2000
> 200
N/A
V
ILATCHUP1
±500
mA
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect
device reliability.
1. Measured with minimum pad spacing on an FR4 board, using 10 mmby1 inch, 2 ounce copper trace no air flow.
2. Tested to EIA / JESD22A114A.
3. Tested to EIA / JESD22A115A.
4. Tested to JESD22C101A.
5. Tested to EIA / JESD78.
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
Symbol
Parameter
Min
Max
Unit
VCC
Positive DC Supply Voltage
1.65
5.5
V
VIN
Digital Input Voltage
0
5.5
V
VOUT
Output Voltage
0
5.5
V
TA
Operating FreeAir Temperature
55
+125
°C
Dt/DV
Input Transition Rise or Fall Rate
VCC = 3.3 V ± 0.3 V
VCC = 5.0 V ± 0.5 V
0
100
20
ns/V
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PDF描述 |
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参数描述 |
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