参数资料
| 型号： | NLU1G14MUTCG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC INVERTER SHCM TRIG SGL 6-UDFN |
| 标准包装： | 1 |
| 逻辑类型： | 逆变器，缓冲器 |
| 电路数： | 1 |
| 输入数： | 1 |
| 特点： | 施密特触发器 |
| 电源电压： | 1.65 V ~ 5.5 V |
| 电流 - 静态（最大值）： | 1µA |
| 输出电流高，低： | 8mA，8mA |
| 逻辑电平 - 低： | 0.9 V ~ 1.65 V |
| 逻辑电平 - 高： | 2.2 V ~ 3.85 V |
| 额定电压和最大 CL 时的最大传播延迟： | 10.6ns @ 4.5V ~ 5.5V，50pF |
| 工作温度： | -55°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 供应商设备封装： | 6-UDFN（1.2x1） |
| 封装/外壳： | 6-UFDFN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1126 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NLU1G14MUTCGOSDKR |
NLU1G14
http://onsemi.com
3
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Conditions
VCC
(V)
TA = 25 5C
TA = +855C
TA = 555C to
+1255C
Unit
Min
Typ
Max
Min
Max
Min
Max
VT+
Positive
Threshold
Voltage
3.0
4.5
5.5
1.85
2.86
3.50
2.0
3.0
3.6
2.2
3.15
3.85
2.2
3.15
3.85
2.2
3.15
3.85
V
VT
Negative
Threshold
Voltage
3.0
4.5
5.5
0.9
1.35
1.65
1.5
2.3
2.9
1.65
2.46
3.05
0.9
1.35
1.65
0.9
1.35
1.65
V
VH
Hysteresis
Voltage
3.0
4.5
5.5
0.30
0.40
0.50
0.57
0.67
0.74
1.20
1.40
1.60
0.30
0.40
0.50
1.20
1.40
1.60
0.30
0.40
0.50
1.20
1.40
1.60
V
VOH
Minimum
HighLevel
Output
Voltage
VIN v VTMIN
IOH = 50 mA
2.0
3.0
4.5
1.9
2.9
4.4
2.0
3.0
4.5
1.9
2.9
4.4
1.9
2.9
4.4
V
VIN v VTMIN
IOH = 4 mA
IOH = 8 mA
3.0
4.5
2.58
3.94
2.48
3.80
2.34
3.66
VOL
Maximum
LowLevel
Output
Voltage
VIN w VT+MAX
IOL = 50 mA
2.0
3.0
4.5
0
0.1
V
VIN w VT+MAX
IOL = 4 mA
IOL = 8 mA
3.0
4.5
0.36
0.44
0.52
IIN
Input
Leakage
Current
0 v VIN v 5.5 V
0 to
5.5
±0.1
±1.0
mA
ICC
Quiescent
Supply
Current
VIN = 5.5 V or
GND
5.5
1.0
10
40
mA
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Input tr = tf = 3.0 ns)
Symbol
Parameter
VCC
(V)
Test
Condition
TA = 25 5C
TA = +855C
TA = 555C to
+1255C
Unit
Min
Typ
Max
Min
Max
Min
Max
tPLH,
tPHL
Propagation Delay,
Input A to Output Y
3.0 to
3.6
CL = 15 pF
7.0
12.8
1.0
15.0
1.0
17.0
ns
CL = 50 pF
8.5
16.3
1.0
18.5
1.0
20.5
4.5 to
5.5
CL = 15 pF
4.0
8.6
1.0
10.0
1.0
11.5
CL = 50 pF
5.5
10.6
1.0
12.0
1.0
13.5
CIN
Input Capacitance
5
10
10.0
pF
CPD
Power Dissipation
Capacitance (Note 6)
5.0
7.0
pF
6. CPD is defined as the value of the internal equivalent capacitance which is calculated from the dynamic operating current consumption without
load. Average operating current can be obtained by the equation ICC(OPR) = CPD VCC fin + ICC. CPD is used to determine the noload
dynamic power consumption: PD = CPD VCC2 fin + ICC VCC.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NLU1G32MUTCG | IC GATE OR SGL 2-INPUT 6-UDFN |
| NLU1G86MUTCG | IC GATE EXCL 2-INPUT 6-UDFN |
| NLU1GT04CMX1TCG | IC INVERTER SGL TTL 6-ULLGA |
| NLU1GT14MUTCG | IC SHCM TRIG/LVL SHIFT INV 6UDFN |
| NLU1GT32MUTCG | IC GATE OR SGL 2-INPUT 6-UDFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NLU1G32 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Single 2-Input OR Gate |
| NLU1G32AMX1TCG | 功能描述:逻辑门 SINGLE 2-INPUT/GATE RoHS:否 制造商:Texas Instruments 产品:OR 逻辑系列:LVC 栅极数量:2 线路数量（输入/输出）:2 / 1 高电平输出电流:- 16 mA 低电平输出电流:16 mA 传播延迟时间:3.8 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.65 V 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DCU-8 封装:Reel |
| NLU1G32BMX1TCG | 功能描述:逻辑门 SINGL 2INPUT OR GATE RoHS:否 制造商:Texas Instruments 产品:OR 逻辑系列:LVC 栅极数量:2 线路数量（输入/输出）:2 / 1 高电平输出电流:- 16 mA 低电平输出电流:16 mA 传播延迟时间:3.8 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.65 V 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DCU-8 封装:Reel |
| NLU1G32CMX1TCG | 功能描述:逻辑门 SINGL 2INPUT OR GATE RoHS:否 制造商:Texas Instruments 产品:OR 逻辑系列:LVC 栅极数量:2 线路数量（输入/输出）:2 / 1 高电平输出电流:- 16 mA 低电平输出电流:16 mA 传播延迟时间:3.8 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.65 V 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DCU-8 封装:Reel |
| NLU1G32MUTCG | 功能描述:逻辑门 HIGH SPEED CMOS 2 INPUT OR GATE RoHS:否 制造商:Texas Instruments 产品:OR 逻辑系列:LVC 栅极数量:2 线路数量（输入/输出）:2 / 1 高电平输出电流:- 16 mA 低电平输出电流:16 mA 传播延迟时间:3.8 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.65 V 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DCU-8 封装:Reel |
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