参数资料
| 型号： | NLU1G86MUTCG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC GATE EXCL 2-INPUT 6-UDFN |
| 标准包装： | 1 |
| 逻辑类型： | XOR（异或） |
| 电路数： | 1 |
| 输入数： | 2 |
| 电源电压： | 1.65 V ~ 5.5 V |
| 电流 - 静态（最大值）： | 1µA |
| 输出电流高，低： | 8mA，8mA |
| 额定电压和最大 CL 时的最大传播延迟： | 8.8ns @ 4.5V ~ 5.5V，50pF |
| 工作温度： | -55°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 供应商设备封装： | 6-UDFN（1.2x1） |
| 封装/外壳： | 6-UFDFN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1126 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NLU1G86MUTCGOSDKR |
NLU1G86
http://onsemi.com
3
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Conditions
VCC
(V)
TA = 25 5C
TA = +855C
TA = 555C to
+1255C
Unit
Min
Typ
Max
Min
Max
Min
Max
VIH
LowLevel
Input Voltage
1.65
0.75 x
VCC
0.75 x
VCC
V
2.3 to
5.5
0.70 x
VCC
0.70 x
VCC
VIL
LowLevel
Input Voltage
1.65
0.25 x
VCC
0.25 x
VCC
0.25 x
VCC
V
2.3 to
5.5
0.30 x
VCC
0.30 x
VCC
0.30 x
VCC
VOH
HighLevel
Output Voltage
VIN = VIH or VIL
IOH = 50 mA
2.0
3.0
4.5
1.9
2.9
4.4
2.0
3.0
4.5
1.9
2.9
4.4
1.9
2.9
4.4
V
VIN = VIH or VIL
IOH = 4 mA
IOH = 8 mA
3.0
4.5
2.58
3.94
2.48
3.80
2.34
3.66
VOL
LowLevel
Output Voltage
VIN = VIH or VIL
IOL = 50 mA
2.0
3.0
4.5
0
0.1
V
VIN = VIH or VIL
IOL = 4 mA
IOL = 8 mA
3.0
4.5
0.36
0.44
0.52
IIN
Input Leakage
Current
0 v VIN v 5.5 V
0 to
5.5
±0.1
±1.0
mA
ICC
Quiescent
Supply Current
0 v VIN v VCC
5.5
1.0
10
40
mA
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Input tr = tf = 3.0 nS)
Symbol
Parameter
VCC
(V)
Test Condition
TA = 25 5C
TA = +855C
TA = 555C to
+1255C
Unit
Min
Typ
Max
Min
Max
Min
Max
tPLH,
tPHL
Propagation
Delay,
Input A or B to
Output Y
3.0 to
3.6
CL = 15 pF
4.4
11
13
15.5
ns
CL = 50 pF
5.7
14.5
16.5
19.5
4.5 to
5.5
CL = 15 pF
3.5
6.8
8.0
10
CL = 50 pF
4.2
8.8
10
12
CIN
Input
Capacitance
5.5
10
pF
CPD
Power
Dissipation
Capacitance
(Note 6)
5.0
10
pF
6. CPD is defined as the value of the internal equivalent capacitance which is calculated from the dynamic operating current consumption without
load. Average operating current can be obtained by the equation ICC(OPR) = CPD VCC fin + ICC. CPD is used to determine the noload
dynamic power consumption: PD = CPD VCC2 fin + ICC VCC.
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PDF描述 |
|---|---|
| NLU1GT04CMX1TCG | IC INVERTER SGL TTL 6-ULLGA |
| NLU1GT14MUTCG | IC SHCM TRIG/LVL SHIFT INV 6UDFN |
| NLU1GT32MUTCG | IC GATE OR SGL 2-INPUT 6-UDFN |
| NLU1GT86CMX1TCG | IC GATE EXCL OR SGL 2INP 6-ULLGA |
| NLU1GU04MUTCG | IC INVERTER SGL UNBUFF 6-UDFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NLU1GT04 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Single Inverter, TTL Level LSTTL-Compatible Inputs |
| NLU1GT04AMX1TCG | 功能描述:变换器 SGL INVRTERTTL LEVEL RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 电路数量:6 逻辑系列:74ABT 逻辑类型:BiCMOS 高电平输出电流:- 15 mA 低电平输出电流:20 mA 传播延迟时间:2.2 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 工作温度范围: 封装 / 箱体:DIP-14 封装:Tube |
| NLU1GT04BMX1TCG | 功能描述:变换器 SNGL INVRTER SCHMITT RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 电路数量:6 逻辑系列:74ABT 逻辑类型:BiCMOS 高电平输出电流:- 15 mA 低电平输出电流:20 mA 传播延迟时间:2.2 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 工作温度范围: 封装 / 箱体:DIP-14 封装:Tube |
| NLU1GT04CMX1TCG | 功能描述:变换器 SGL INVRTERTTL LEVEL RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 电路数量:6 逻辑系列:74ABT 逻辑类型:BiCMOS 高电平输出电流:- 15 mA 低电平输出电流:20 mA 传播延迟时间:2.2 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 工作温度范围: 封装 / 箱体:DIP-14 封装:Tube |
| NLU1GT04MUTCG | 功能描述:变换器 INVERTING BUFFER LSTTL COMPAT INPUTS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 电路数量:6 逻辑系列:74ABT 逻辑类型:BiCMOS 高电平输出电流:- 15 mA 低电平输出电流:20 mA 传播延迟时间:2.2 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 工作温度范围: 封装 / 箱体:DIP-14 封装:Tube |
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