参数资料
| 型号： | NLU1GT50MUTCG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC BUFFER TTL NON-INVERT 6UDFN |
| 标准包装： | 1 |
| 逻辑类型： | 缓冲器/线路驱动器，非反相 |
| 元件数： | 1 |
| 每个元件的位元数： | 1 |
| 输出电流高，低： | 8mA，8mA |
| 电源电压： | 1.65 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -55°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-UFDFN |
| 供应商设备封装： | 6-UDFN（1.2x1） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1126 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NLU1GT50MUTCGOSDKR |
NLU1GT50
http://onsemi.com
2
MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
VCC
DC Supply Voltage
0.5 to +7.0
V
VIN
DC Input Voltage
0.5 to +7.0
V
VOUT
DC Output Voltage
0.5 to +7.0
V
IIK
DC Input Diode Current
VIN < GND
20
mA
IOK
DC Output Diode Current
VOUT < GND
±20
mA
IO
DC Output Source/Sink Current
±12.5
mA
ICC
DC Supply Current Per Supply Pin
±25
mA
IGND
DC Ground Current per Ground Pin
±25
mA
TSTG
Storage Temperature Range
65 to +150
°C
TL
Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 Seconds
260
°C
TJ
Junction Temperature Under Bias
150
°C
MSL
Moisture Sensitivity
Level 1
FR
Flammability Rating Oxygen
Index: 28 to 34
UL 94 V0 @ 0.125 in
VESD
ESD Withstand Voltage
Human Body Model (Note 2)
Machine Model (Note 3)
Charged Device Model (Note 4)
> 2000
> 200
N/A
V
ILATCHUP1
±500
mA
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect
device reliability.
1. Measured with minimum pad spacing on an FR4 board, using 10 mmby1 inch, 2 ounce copper trace no air flow.
2. Tested to EIA / JESD22A114A.
3. Tested to EIA / JESD22A115A.
4. Tested to JESD22C101A.
5. Tested to EIA / JESD78.
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
Symbol
Parameter
Min
Max
Unit
VCC
Positive DC Supply Voltage
1.65
5.5
V
VIN
Digital Input Voltage
0
5.5
V
VOUT
Output Voltage
0
5.5
V
TA
Operating FreeAir Temperature
55
+125
°C
Dt/DV
Input Transition Rise or Fall Rate
VCC = 3.3 V ± 0.3 V
VCC = 5.0 V ± 0.5 V
0
100
20
ns/V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| 74ACT541MTCX | IC BUFF/DVR TRI-ST 8BIT 20TSSOP |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NLU1GT86 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Single 2-Input Exclusive OR Gate, TTL Level LSTTL-Compatible Inputs |
| NLU1GT86AMX1TCG | 功能描述:逻辑门 SNGL 2INPUT EXCLUSVE RoHS:否 制造商:Texas Instruments 产品:OR 逻辑系列:LVC 栅极数量:2 线路数量（输入/输出）:2 / 1 高电平输出电流:- 16 mA 低电平输出电流:16 mA 传播延迟时间:3.8 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.65 V 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DCU-8 封装:Reel |
| NLU1GT86BMX1TCG | 功能描述:逻辑门 SNGL 2INPUT EXCLUSVE RoHS:否 制造商:Texas Instruments 产品:OR 逻辑系列:LVC 栅极数量:2 线路数量（输入/输出）:2 / 1 高电平输出电流:- 16 mA 低电平输出电流:16 mA 传播延迟时间:3.8 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.65 V 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DCU-8 封装:Reel |
| NLU1GT86CMX1TCG | 功能描述:逻辑门 SNGL 2INPUT EXCLUSVE RoHS:否 制造商:Texas Instruments 产品:OR 逻辑系列:LVC 栅极数量:2 线路数量（输入/输出）:2 / 1 高电平输出电流:- 16 mA 低电平输出电流:16 mA 传播延迟时间:3.8 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.65 V 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DCU-8 封装:Reel |
| NLU1GT86MUTCG | 功能描述:逻辑门 HGH SPD CMOS 2-INPUT XCLUSVE OR GATE TTL RoHS:否 制造商:Texas Instruments 产品:OR 逻辑系列:LVC 栅极数量:2 线路数量（输入/输出）:2 / 1 高电平输出电流:- 16 mA 低电平输出电流:16 mA 传播延迟时间:3.8 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.65 V 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DCU-8 封装:Reel |
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