参数资料
| 型号： | NLU2GU04MUTCG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC INVERTER UNBUFF DUAL 6-UDFN |
| 标准包装： | 1 |
| 逻辑类型： | 反相器 |
| 电路数： | 2 |
| 输入数： | 1 |
| 电源电压： | 1.65 V ~ 5.5 V |
| 电流 - 静态（最大值）： | 1µA |
| 输出电流高，低： | 8mA，8mA |
| 额定电压和最大 CL 时的最大传播延迟： | 7ns @ 4.5V ~ 5.5V，50pF |
| 工作温度： | -55°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 供应商设备封装： | 6-UDFN（1.2x1） |
| 封装/外壳： | 6-UFDFN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1126 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NLU2GU04MUTCGOSDKR |
NLU2GU04
http://onsemi.com
3
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Conditions
VCC (V)
TA = 25 5C
TA = +855C
TA = 555C to
+1255C
Unit
Min
Typ
Max
Min
Max
Min
Max
VIH
LowLevel
Input
Voltage
1.65
2.3 to 5.5
0.85 x
VCC
0.80 x
VCC
0.85 x
VCC
0.80 x
VCC
V
VIL
LowLevel
Input
Voltage
1.65
2.3 to 5.5
0.15 x
VCC
0.20 x
VCC
0.15 x
VCC
0.20 x
VCC
0.15 x
VCC
0.20 x
VCC
V
VOH
HighLevel
Output
Voltage
VIN = VIH or VIL
IOH = 50 mA
2.0
3.0
4.5
1.9
2.9
4.4
2.0
3.0
4.5
1.9
2.9
4.4
1.9
2.9
4.4
V
VIN = VIH or VIL
IOH = 4 mA
IOH = 8 mA
3.0
4.5
2.58
3.94
2.48
3.80
2.34
3.66
VOL
LowLevel
Output
Voltage
VIN = VIH or VIL
IOL = 50 mA
2.0
3.0
4.5
0
0.1
V
VIN = VIH or VIL
IOL = 4 mA
IOL = 8 mA
3.0
4.5
0.36
0.44
0.52
IIN
Input
Leakage
Current
0 v VIN v 5.5 V
0 to 5.5
±0.1
±1.0
mA
ICC
Quiescent
Supply
Current
0 v VIN v VCC
5.5
1.0
20
40
mA
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Input tr = tf = 3.0 ns)
Symbol
Parameter
VCC
(V)
Test
Condition
TA = 25 5C
TA = +855C
TA = 555C
to +1255C
Unit
Min
Typ
Max
Min
Max
Min
Max
tPLH,
tPHL
Propagation Delay, Input A to
Output Y
3.0 to
3.6
CL = 15 pF
3.5
8.9
10.5
12
ns
CL = 50 pF
4.8
11.4
13
15.5
4.5 to
5.5
CL = 15 pF
2.5
5.5
6.5
8.0
CL = 50 pF
3.8
7.0
8.0
9.5
CIN
Input Capacitance
4
10
pF
CPD
Power Dissipation
Capacitance (Note 3)
5.0
22
pF
3. CPD is defined as the value of the internal equivalent capacitance which is calculated from the dynamic operating current consumption without
load. Average operating current can be obtained by the equation ICC(OPR) = CPD VCC fin + ICC. CPD is used to determine the noload
dynamic power consumption: PD = CPD VCC2 fin + ICC VCC.
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| NLU3G14BMX1TCG | 功能描述:变换器 TRPLE INVRTR SCHMITT RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 电路数量:6 逻辑系列:74ABT 逻辑类型:BiCMOS 高电平输出电流:- 15 mA 低电平输出电流:20 mA 传播延迟时间:2.2 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 工作温度范围: 封装 / 箱体:DIP-14 封装:Tube |
| NLU3G14CMX1TCG | 功能描述:变换器 TRPLE INVRTR SCHMITT RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 电路数量:6 逻辑系列:74ABT 逻辑类型:BiCMOS 高电平输出电流:- 15 mA 低电平输出电流:20 mA 传播延迟时间:2.2 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 工作温度范围: 封装 / 箱体:DIP-14 封装:Tube |
| NLU3G14MUTAG | 功能描述:变换器 TRPLE INVRTR SCHMITT RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 电路数量:6 逻辑系列:74ABT 逻辑类型:BiCMOS 高电平输出电流:- 15 mA 低电平输出电流:20 mA 传播延迟时间:2.2 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 工作温度范围: 封装 / 箱体:DIP-14 封装:Tube |
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