参数资料
型号: NLX1G332CMX1TCG
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 6/11页
文件大小: 0K
描述: IC GATE OR 3INPUT 6ULLGA
标准包装: 3,000
逻辑类型: 或门
电路数: 1
输入数: 3
电源电压: 1.65 V ~ 5.5 V
电流 - 静态(最大值): 1µA
输出电流高,低: 32mA,32mA
额定电压和最大 CL 时的最大传播延迟: 7ns @ 4.5V ~ 5.5V,50pF
工作温度: -55°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
供应商设备封装: 6-ULLGA(1x1)
封装/外壳: 6-XFLGA
包装: 带卷 (TR)
NLX1G332
http://onsemi.com
4
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Input tr = tf = 2.5 nS)
Symbol
Parameter
VCC
(V)
Test
Condition
TA = 25 5C
TA = 555C to
+1255C
Unit
Min
Typ
Max
Min
Max
tPLH,
tPHL
Propagation Delay,
Input to Output
1.651.95
RL = 1 MW, CL = 15 pF
2.0
5.5
18.5
2.0
19
ns
2.32.7
RL = 1 MW, CL = 15 pF
0.8
3.0
11
0.8
11.5
3.03.6
RL = 1 MW, CL = 15 pF
0.5
2.6
7.5
0.5
8.0
RL = 500 W, CL = 50 pF
1.5
3.0
8.5
1.5
9.0
4.55.5
RL = 1 MW, CL = 15 pF
0.5
2.2
5.5
0.5
6.0
RL = 500 W, CL = 50 pF
0.8
2.4
7.0
0.8
7.5
CIN
Input Capacitance
5.5
VIN = 0 V or VCC
4.0
pF
CPD
Power Dissipation
Capacitance (Note 7)
3.3
5.5
10 MHz
VIN = 0 V or VCC
20
26
pF
7. CPD is defined as the value of the internal equivalent capacitance which is calculated from the dynamic operating current consumption without
load. Average operating current can be obtained by the equation ICC(OPR) = CPD VCC fin + ICC. CPD is used to determine the noload
dynamic power consumption: PD = CPD VCC2 fin + ICC VCC.
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