参数资料
| 型号： | NLX2G08MUTCG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC GATE AND DUAL 2INPUT 8UQFN |
| 标准包装： | 3,000 |
| 逻辑类型： | 与门 |
| 电路数： | 2 |
| 输入数： | 2 |
| 电源电压： | 1.65 V ~ 5.5 V |
| 电流 - 静态（最大值）： | 1µA |
| 输出电流高，低： | 32mA，32mA |
| 额定电压和最大 CL 时的最大传播延迟： | 3.7ns @ 5V，50pF |
| 工作温度： | -55°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 供应商设备封装： | 8-UQFN（1.6x1.6） |
| 封装/外壳： | 8-UFQFN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NLX2G08
http://onsemi.com
3
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Condition
VCC
(V)
TA = 255C
TA 3 855C
TA = 555C to
+1255C
Unit
Min
Typ
Max
Min
Max
Min
Max
VIH
HighLevel Input
Voltage
1.65
2.3 to 5.5
0.75 x
VCC
0.7 x
VCC
0.75 x
VCC
0.7 x
VCC
0.75 x
VCC
0.7 x
VCC
V
VIL
LowLevel Input
Voltage
1.65
2.3 to 5.5
0.25 x
VCC
0.3 x
VCC
0.25 x
VCC
0.3 x
VCC
0.25 x
VCC
0.3 x
VCC
V
VOH
HighLevel
Output Voltage
VIN = VIH or VIL,
IOH = 100 mA
1.65 to 5.5
VCC
0.1
VCC
VCC
0.1
VCC
0.1
V
VIN = VIH or VIL
IOH = 4 mA
IOH = 8 mA
IOH = 12 mA
IOH = 16 mA
IOH = 24 mA
IOH = 32 mA
1.65
2.3
2.7
3.0
4.5
1.29
1.9
2.2
2.4
2.3
3.8
1.5
2.1
2.4
2.7
2.5
4.0
1.29
1.9
2.2
2.4
2.3
3.8
1.29
1.9
2.2
2.4
2.3
3.8
VOL
LowLevel
Output Voltage
VIN = VIH or VIL,
IOL = 100 mA
1.65 to 5.5
0.1
V
VIN = VIH or VIL
IOL = 4 mA
IOL = 8 mA
IOL = 12 mA
IOL = 16 mA
IOL = 24 mA
IOL = 32 mA
1.65
2.3
2.7
3.0
4.5
0.08
0.20
0.22
0.28
0.38
0.42
0.24
0.3
0.4
0.55
0.24
0.3
0.4
0.55
0.24
0.3
0.4
0.55
IIN
Input Leakage
Current
0 ≤ VIN ≤ 5.5 V
0 to 5.5
$0.1
$1.0
mA
IOFF
PowerOff Input
Leakage Current
VIN = 5.5 V
0
1.0
10
mA
ICC
Quiescent Supply
Current
0 ≤ VIN ≤ 5.5 V
5.5
1.0
10
mA
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS tR = tF = 2.5 ns
Symbol
Parameter
VCC
(V)
Test Condition
TA = 255C
TA 3 855C
TA = 555C
to +1255C
Unit
Min
Typ
Max
Min
Max
Min
Max
tPLH
tPHL
Propagation Delay
Input A to Output
1.65 to 1.95
RL = 1 MW, CL = 15 pF
2.0
5.7
10.5
2.0
11.0
2.0
11.2
ns
2.3 to 2.7
RL = 1 MW, CL = 15 pF
1.2
3.5
5.8
1.2
6.2
1.2
6.3
3.0 to 3.6
RL = 1 MW, CL = 15 pF
0.8
2.6
3.9
0.8
4.3
0.8
4.7
RL = 500 W, CL = 50 pF
3.2
4.8
5.2
5.3
4.5 to 5.5
RL = 1 MW, CL = 15 pF
1.9
3.1
3.3
0.5
4.0
RL = 500 W, CL = 50 pF
2.5
3.7
4.0
4.3
CIN
Input Capacitance
5.5
VIN = 0 V or VCC
2.5
pF
CPD
Power Dissipation
Capacitance (Note 7)
3.3
5.5
10 MHz, VIN = 0V or
VCC
9
11
pF
7. CPD is defined as the value of the internal equivalent capacitance which is calculated from the operating current consumption without load.
Average operating current can be obtained by the equation: ICC(OPR) = CPD VCC fin + ICC. CPD is used to determine the noload dynamic
power consumption; PD = CPD VCC2 fin + ICC VCC.
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NLX2G14BMX1TCG | 功能描述:变换器 DUAL INVERTR SCHMITT RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 电路数量:6 逻辑系列:74ABT 逻辑类型:BiCMOS 高电平输出电流:- 15 mA 低电平输出电流:20 mA 传播延迟时间:2.2 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 工作温度范围: 封装 / 箱体:DIP-14 封装:Tube |
| NLX2G14CMX1TCG | 功能描述:变换器 DUAL INVERTR SCHMITT RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 电路数量:6 逻辑系列:74ABT 逻辑类型:BiCMOS 高电平输出电流:- 15 mA 低电平输出电流:20 mA 传播延迟时间:2.2 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 工作温度范围: 封装 / 箱体:DIP-14 封装:Tube |
| NLX2G16 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Dual Buffer |
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