参数资料
| 型号： | NLX2G16CMX1TCG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC BUFFER DUAL NON-INV 6ULLGA |
| 标准包装： | 3,000 |
| 逻辑类型： | 缓冲器/线路驱动器，非反相 |
| 元件数： | 2 |
| 每个元件的位元数： | 1 |
| 输出电流高，低： | 32mA，32mA |
| 电源电压： | 1.65 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -55°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-XFLGA |
| 供应商设备封装： | 6-ULLGA（1x1） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NLX2G16
http://onsemi.com
2
MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
VCC
DC Supply Voltage
0.5 to +7.0
V
VIN
DC Input Voltage
0.5 to +7.0
V
VOUT
DC Output Voltage
0.5 to +7.0
V
IIK
DC Input Diode Current
VIN < GND
50
mA
IOK
DC Output Diode Current
VOUT < GND
50
mA
IO
DC Output Source/Sink Current
±50
mA
ICC
DC Supply Current Per Supply Pin
±100
mA
IGND
DC Ground Current per Ground Pin
±100
mA
TSTG
Storage Temperature Range
65 to +150
°C
TL
Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 Seconds
260
°C
TJ
Junction Temperature Under Bias
150
°C
MSL
Moisture Sensitivity
Level 1
FR
Flammability Rating Oxygen
Index: 28 to 34
UL 94 V0 @ 0.125 in
ILATCHUP
±500
mA
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect
device reliability.
1. Measured with minimum pad spacing on an FR4 board, using 10 mmby1 inch, 2 ounce copper trace no air flow.
2. Tested to EIA/JESD22A114A.
3. Tested to EIA/UESD22A115A.
4. Tested to JESD22C101A.
5. Tested to EIA / JESD78.
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
Symbol
Parameter
Min
Max
Unit
VCC
Positive DC Supply Voltage
1.65
5.5
V
VIN
Digital Input Voltage
0
5.5
V
VOUT
Output Voltage
0
5.5
V
TA
Operating FreeAir Temperature
55
+125
°C
Dt/DV
Input Transition Rise or Fall Rate
VCC = 1.8 V ± 0.18
VCC = 2.5 V ± 0.2 V
VCC = 3.3 V ± 0.3 V
VCC = 5.0 V ± 0.5 V
0
20
10
5
ns/V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NLX2G17CMX1TCG | IC BUFF DL SCHM TRG N-INV 6ULLGA |
| NLX3G14CMX1TCG | IC BUFFER TRPL SCHMT TRG 8ULLGA |
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| NLX3G17CMX1TCG | IC BUFFER TRPL SCHMT TRG 8ULLGA |
| NS-HGC1M | HEEL GROUNDER ASSY W/RES |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NLX2G17 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Dual Schmitt-Trigger Buffer |
| NLX2G17AMX1TCG | 功能描述:缓冲器和线路驱动器 DUAL BUFFER SCHMITT RoHS:否 制造商:Micrel 输入线路数量:1 输出线路数量:2 极性:Non-Inverting 电源电压-最大:+/- 5.5 V 电源电压-最小:+/- 2.37 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:MSOP-8 封装:Reel |
| NLX2G17BMX1TCG | 功能描述:缓冲器和线路驱动器 DUAL BUFFER SCHMITT RoHS:否 制造商:Micrel 输入线路数量:1 输出线路数量:2 极性:Non-Inverting 电源电压-最大:+/- 5.5 V 电源电压-最小:+/- 2.37 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:MSOP-8 封装:Reel |
| NLX2G17CMX1TCG | 功能描述:缓冲器和线路驱动器 DUAL BUFFER SCHMITT RoHS:否 制造商:Micrel 输入线路数量:1 输出线路数量:2 极性:Non-Inverting 电源电压-最大:+/- 5.5 V 电源电压-最小:+/- 2.37 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:MSOP-8 封装:Reel |
| NLX2G32AMX1TCG | 功能描述:MOSFET DUAL 2 INPUT OR GATE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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