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参数资料
| 型号： | NMM412VP5T5G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC TVS QUAD ARRAY ESD SOT-953 |
| 标准包装： | 8,000 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 9V |
| 电压 - 击穿： | 11.4V |
| 功率（瓦特）： | 18W |
| 电极标记： | 4 通道阵列 - 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-953 |
| 供应商设备封装： | SOT-953 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NUP412VP5
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
0.0035
0.003
0.0025
0.002
0.0015
0.001
0.0005
7.5
7
6.5
6
5.5
5
4.5
4
3.5
0
? 60 ? 40 ? 20 0
20
40
60
80
100 120 140 160
3
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
T, TEMPERATURE ( ° C)
Figure 1. Reverse Leakage versus
Temperature
BIAS VOLTAGE (V)
Figure 2. Capacitance
100
90
80
70
60
50
40
30
20
t r
t P
PEAK VALUE I RSM @ 8 m s
PULSE WIDTH (t P ) IS DEFINED
AS THAT POINT WHERE THE
PEAK CURRENT DECAY = 8 m s
HALF VALUE I RSM /2 @ 20 m s
1
0.1
0.01
10
0
0
20
40
60
80
0.001
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
T A = 25 ° C
1.6
1.8
t, TIME ( m s)
Figure 3. 8 × 20 m s Pulse Waveform
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
V F , FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 4. Forward Voltage
0
0
25
50
75
100
125
150
T A , AMBIENT TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. Power Derating Curve
http://onsemi.com
3
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