参数资料
型号: NP0640SCT3G
厂商: ON Semiconductor
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文件大小: 0K
描述: IC THY SURGE PROTECTOR 64V SMB
产品变化通告: TSPD Discontinuation 10/Jul/2012
标准包装: 2,500
电压 - 击穿: 77V
电压 - 断路: 58V
电压 - 导通状态: 4V
电流 - 峰值脉冲(10 x 1000µs): 100A
电流 - 保持 (Ih): 150mA
元件数: 1
电容: 222pF
封装/外壳: DO-214AA,SMB
包装: 带卷 (TR)
其它名称: NPO640SCT3G
NP Series
SURGE RATINGS
Characteristics
Nominal Pulse
Surge Short Circuit Current Non – Repetitive
Double Exponential Decay Waveform (Notes 5, 6 and 7)
2 x 10 m Sec
10 x 160 m Sec
10 x 360 m Sec
10 x 560 m Sec
10 x 700 m Sec
10 x 1000 m Sec
Symbol
I PPS1
I PPS3
I PPS4
I PPS5
I PPS6
I PPS7
A
150
90
75
50
75
50
B
250
150
125
100
100
80
C
500
200
150
150
200
100
Unit
A(pk)
5. Allow cooling before testing second polarity.
6. Measured under pulse conditions to reduce heating.
7. Nominal values may not represent the maximum capability of a device.
THERMAL CHARACTERISTICS
Symbol
T STG
T J
R 0JA
Rating
Storage Temperature Range
Operating Temperature Range
Thermal Resistance: Junction ? to ? Ambient Per EIA/JESD51 ? 3, PCB = FR4 3”x4.5”x0.06”
Fan out in a 3x3 inch pattern, 2 oz copper track.
Value
? 65 to +150
? 40 to +150
90
Unit
° C
° C
° C/W
+I
100
Peak
Value
t r = rise time to peak value
t f = decay time to half value
I T
I (BO)
I H
50
0
0 t r
t f
Half Value
? Voltage
V T
+Voltage
V DRM V (BO)
TIME ( m s)
Figure 1. Exponential Decay Pulse Waveform
? I
Figure 2. Voltage Current Characteristics of TSPD
Symbol
V DRM
V (BO)
I (BO)
I H
V T
I T
Parameter
Peak Off State Voltage
Breakover Voltage
Breakover Current
Holding Current
On State Voltage
On State Current
http://onsemi.com
3
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PDF描述
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