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参数资料
| 型号： | NP100P04PLG-E1-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH -40V MP-25ZP/TO-263 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 100A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.7 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 320nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 15100pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NP100P04PLG-E1-AYDKR |
NP100P04PLG
PACKAGE DRAWING (Unit: mm)
TO-263 (MP-25ZP)
No plating
10.0 ±0.3
7.88 MIN.
4.45 ±0.2
1.3 ±0.2
4
0.025
0.5
to 0.25
0.6 ±0
.2
0.75 ±0.2
2.54
0 to 8
?
0.25
1 2
3
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Fin (Drain)
EQUIVALENT CIRCUIT
Drain
Body
Gate
Gate
Protection
Diode
Source
Diode
Remark The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD.
When this device actually used, an additional protection circuit is externally required if a voltage exceeding
the rated voltage may be applied to this device.
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Data Sheet D18694EJ3V0DS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NP100P06PDG-E1-AY | MOSFET P-CH -60V MP-25ZP/TO-263 |
| NP100P06PLG-E1-AY | MOSFET P-CH -60V MP-25ZP/TO-263 |
| NP109N04PUJ-E1B-AY | MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263 |
| NP109N055PUJ-E1B-AY | MOSFET N-CH 55V MP-25ZP/TO-263 |
| NP110N03PUG-E1-AY | MOSFET N-CH 30V MP-25ZP/TO-263 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NP100P04PLG-E2-AY | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| NP100P06PDG | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| NP100P06PDG-E1-AY | 功能描述:MOSFET P-CH -60V MP-25ZP/TO-263 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| NP100P06PDG-E1-AZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| NP100P06PDG-E2-AY | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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