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参数资料
| 型号： | NP100P06PDG-E1-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH -60V MP-25ZP/TO-263 |
| 标准包装： | 800 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 100A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 300nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 15000pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NP100P06PDG
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ° C)
CHARACTERISTICS
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate Leakage Current
Gate to Source Threshold Voltage
SYMBOL
I DSS
I GSS
V GS(th)
TEST CONDITIONS
V DS = ? 60 V, V GS = 0 V
V GS = m 20 V, V DS = 0 V
V DS = ? 10 V, I D = ? 1 mA
MIN.
? 1.0
TYP.
? 1.6
MAX.
? 10
m 100
? 2.5
UNIT
μ A
nA
V
Forward Transfer Admittance
Note
| y fs |
V DS = ? 10 V, I D = ? 50 A
43
86
S
Drain to Source On-state Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Note
R DS(on)1
R DS(on)2
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
V GS = ? 10 V, I D = ? 50 A
V GS = ? 4.5 V, I D = ? 50 A
V DS = ? 10 V,
V GS = 0 V,
f = 1 MHz
V DD = ? 30 V, I D = ? 45 A,
V GS = ? 10 V,
R G = 0 Ω
4.4
5.0
15000
1810
840
28
35
275
6.0
7.8
m Ω
m Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
Fall Time
t f
100
ns
Total Gate Charge
Gate to Source Charge
Gate to Drain Charge
Q G
Q GS
Q GD
V DD = ? 48 V,
V GS = ? 10 V,
I D = ? 100 A
300
35
85
nC
nC
nC
Body Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Note
V F(S-D)
t rr
Q rr
I F = ? 100 A, V GS = 0 V
I F = ? 100 A, V GS = 0 V,
di/dt = ? 100 A/ μ s
0.92
67
135
1.5
V
ns
nC
Note Pulsed test PW ≤ 350 μ s, Duty Cycle ≤ 2%
TEST CIRCUIT 1 AVALANCHE CAPABILITY
D.U.T.
TEST CIRCUIT 2 SWITCHING TIME
PG.
V GS = ? 20 → 0 V
R G = 25 Ω
50 Ω
L
V DD
PG.
R G
D.U.T.
R L
V DD
V GS
Wave Form
V GS ( ? )
10%
0
V GS
90%
V DS ( ? )
?
I D
I AS
BV DSS
V DS
V GS ( ? )
0
V DS
Wave Form
V DS
0
90%
10% 10%
90%
V DD
Starting T ch
τ
τ = 1 μ s
Duty Cycle ≤ 1%
t d(on)
t on
t r t d(off)
t off
t f
TEST CIRCUIT 3 GATE CHARGE
D.U.T.
I G = ? 2 mA
R L
2
PG.
50 Ω
V DD
Data Sheet D18693EJ3V0DS
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| NP100P06PLG-E2-AY | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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