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参数资料
| 型号： | NP109N055PUJ-E1B-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V MP-25ZP/TO-263 |
| 标准包装： | 1,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 110A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.2 毫欧 @ 55A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 180nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 10350pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NP109N055PUJ
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ° C)
120
100
80
60
40
20
0
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
300
250
200
150
100
50
0
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
0
25
50
75
100
125
150
175
0
25
50
75
100
125
150
175
T C - Case Temperature - ° C
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
T C - Case Temperature - ° C
1000
100
I D(DC)
DC
I D(pulse)
PW
=
1 i 0
0
μ s
R DS(on) Limited
(V GS = 10 V)
10
1
T C = 25 ° C
0.1
Single Pulse
0.1
1
10
100
V DS - Drain to Source Voltage - V
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
1000
100
10
1
R th(ch-A) = 83.3 ° C/W
R th(ch-C) = 0.68 ° C/W
0.1
0.01
Single Pulse
0.001
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - Pulse Width - s
Data Sheet D19729EJ1V0DS
3
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PDF描述 |
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